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TDS2621LP.C

Name: Semtech TDS2621LP.C
Brand: Semtech
SKU: 947-TDS2621LP.C
Price: 1.25 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

947-TDS2621LP.C

Fabricante N.º:

TDS2621LP.C

Fabricante:

Semtech

Descripción:

Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TDS, 1-Line 26V 24A TVS EOS SLP1616N2P

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

TDS2621LP.C Hoja de datos (PDF)

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	$0.655	$327.50
	$0.633	$633.00
	$0.60	$1,800.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Semtech
Categoría de producto:	Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS
RoHS:
Voltaje en funcionamiento:	26.4 V
Estilo de terminación:	SMD/SMT
Voltaje de fijación:	35 V
Tensión de disparo:	31 V
Paquete / Cubierta:	DFN-2
Ipp - Corriente máxima de pulso:	24 A
Pppm - Disipación de potencia máxima de pulsos:	840 W
Cd - Capacidad en diodos:	86 pF
Vesd - Contacto de voltaje ESD:	20 kV
Vesd - Espacio de aire de voltaje ESD:	25 kV
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Marca:	Semtech
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
Nombre comercial:	SurgeSwitch
Vf - Tensión directa:	600 mV

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Hoja de datos

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Códigos de cumplimiento

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

TDS2621LP Transient Diverting Suppressors (TDS)

Semtech TDS2621LP Transient Diverting Suppressors (TDS) are designed to provide high-energy electrical overstress (EOS) protection with superior clamping and temperature characteristics when compared to standard TVS devices. The Semtech TDS2621LP devices use a surge-rated FET as the main protection element. During an EOS event, transient voltage increases beyond the rated breakdown voltage of the device. The FET then switches on and conducts a transient current to ground. The TDS clamping voltage is nearly constant across the rated peak pulse current range due to the extremely low ON Resistance [R_DS(on)] of the FET. Lower clamping voltage at maximum peak pulse current makes the TDS components more suitable for protecting sensitive integrated circuits (ICs), when compared to standard TVS diodes.