Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
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360 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56p
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SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
1.5 V
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 20Vgs FET Enh Mode 46pF 1.5Vgs
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Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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DMN53D0LQ-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2N7002 Family
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Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
540 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
DMN53D0LW-13
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621-DMN53D0LW-13
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET Enhancement Mode N-Ch .3A 2.5Vgs 56pF
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Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
N-Channel
1 Channel
50 V
360 mA
2 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
1.2 nC
- 55 C
+ 150 C
420 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
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DMN53D0LQ-7
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621-DMN53D0LQ-7
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch. 50V 500mA AEC-Q101
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25,895 Se espera el 12/06/2026
18,000 Se espera el 12/02/2027
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Min.: 1
Mult.: 1
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3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
500 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
540 mW
Enhancement
AEC-Q101
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
1:
$0.33
19,984 Se espera el 21/07/2026
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0LDW-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
19,984 Se espera el 21/07/2026
Embalaje alternativo
1
$0.33
10
$0.202
100
$0.142
500
$0.10
1,000
Ver
10,000
$0.053
1,000
$0.085
2,500
$0.08
5,000
$0.074
10,000
$0.053
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
N-Channel
2 Channel
50 V
360 mA
1.6 Ohms
- 20 V, 20 V
800 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
310 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
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DMN53D0U-7
Diodes Incorporated
1:
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29,500 En pedido
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-7
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 50Vds 12Vgs FET Enh Mode 50pF 1Vgs
29,500 En pedido
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En pedido:
17,500 Se espera el 12/02/2027
12,000 Se espera el 19/02/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
1
$0.37
10
$0.227
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$0.102
1,000
$0.09
3,000
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
3,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
300 mA
2 Ohms
- 12 V, 12 V
400 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
520 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
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DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
1:
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Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
N.º de artículo de Mouser
621-DMN53D0U-13
Diodes Incorporated
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL MOSFET
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
Embalaje alternativo
1
$0.44
10
$0.299
100
$0.189
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$0.119
1,000
Ver
10,000
$0.052
1,000
$0.104
2,500
$0.092
5,000
$0.078
10,000
$0.052
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
10,000
Detalles
Si
SMD/SMT
SOT-23-3
N-Channel
1 Channel
50 V
300 mA
2 Ohms
- 12 V, 12 V
400 mV
600 pC
- 55 C
+ 150 C
520 mW
Enhancement
Reel, Cut Tape, MouseReel