CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G1 MOSFETs excel in performance, reliability, and robustness. The Infineon Technologies CoolSiC 750V G1 features flexible gate driving for simplified, cost-effective system design. The MOSFETs allow for optimized efficiency and power density.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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230En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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230En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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313En existencias
750Se espera el 26/05/2026
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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750En existencias
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SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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240En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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224En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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188En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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186En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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106En existencias
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
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Mult.: 750
: 750

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
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Plazo de entrega 52 Semanas
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel