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NDSH20120CDN

Name: onsemi NDSH20120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH20120CDN
Price: 9.6 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NDSH20120CDN

Fabricante N.º:

NDSH20120CDN

Fabricante:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO

Hoja de datos:

NDSH20120CDN Hoja de datos

Modelo ECAD:

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	$5.18	$2,331.00
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente directa:	24 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión directa:	1.75 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	59 A
Ir - Corriente inversa:	1 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH20120CDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Dp - Disipación de potencia :	94 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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NDSH20120CDN Hoja de datos

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

NDSH20120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

onsemi NDSH20120CDN Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. The TO-247-3LD packaged NDSH20120CDN features no reverse recovery current, temperature-independent switching characteristics, and excellent thermal performance. System benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. This EliteSiC diode offers a positive temperature coefficient and ease of paralleling.