SuperFET® III MOSFETs

onsemi SuperFET® III MOSFETs are high voltage Super-Junction (SJ) N-Channel MOSFETs designed to meet the high power density, system efficiency, and exceptional reliability requirements of telecom, server, electric vehicle (EV) charger and solar products. These devices combine best-in-class reliability, low EMI, excellent efficiency, and superior thermal performance to make them an ideal choice for high-performance applications. Complementing their performance characteristics, the broad range of package options offered by onsemi SuperFET III MOSFETs gives product designers high flexibility, particularly with size-constrained designs.

Resultados: 127
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Calificación
Nombre comercial
Empaquetado

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FRFET 650V 75A 27.4mOhm
Hoja de datos
1,256En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 225 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 650V 50MOHM
Hoja de datos
1,907En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 67 mOhm
Hoja de datos
4,457En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET 190M
Hoja de datos
5,720En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 36 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Hoja de datos
3,498En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
Hoja de datos
11,428En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 57 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V
Hoja de datos
9,611En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 58 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FAST 650V TO220
Hoja de datos
3,635En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 47 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 96 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220F
Hoja de datos
11,905En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V FRFET,150M
Hoja de datos
2,130En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm, TO247 PKG
Hoja de datos
313En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SF3 FRFET HF VERSION 82MOHM TO-220
Hoja de datos
7,748En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TO220
Hoja de datos
646En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 62 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr MOSFET N-Chn SUPERFET III
Hoja de datos
703En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 43 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO220F PKG
Hoja de datos
331En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V D2PAK PKG
Hoja de datos
1,924En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 23 mOhm
Hoja de datos
885En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 222 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 17A 180 mOhm
Hoja de datos
2,474En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 180 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 139 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 360MOHM DPAK
Hoja de datos
5,470En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 17.5 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247
Hoja de datos
266En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 158 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V TO247 N-CHANNEL
Hoja de datos
440En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 82 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 81 nC - 55 C + 150 C 313 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 125MOHM TO-247-3
Hoja de datos
349En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 FAST 165MOHM TO-220
Hoja de datos
1,460En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
Hoja de datos
846En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 159 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 33 nC - 55 C + 150 C 144 W Enhancement Tube

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
Hoja de datos
1,596En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube