NXH015F120M3F1PTG

onsemi
863-XH015F120M3F1PTG
NXH015F120M3F1PTG

Fabricante:

Descripción:
Módulos MOSFET 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
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Modelo ECAD:
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En existencias: 28

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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$-.--
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Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$68.07 $68.07
$59.43 $594.30

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Módulos MOSFET
RoHS:  
SiC
Press Fit
42.5 mm x 33.8 mm
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
77 A
19 mOhms
- 10 V, 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 175 C
198 W
NXH015F120M3F1PTG
Tray
Marca: onsemi
Configuración: Quad
Tiempo de caída: 7.5 ns
Altura: 12 mm
Longitud: 42.5 mm
Producto: MOSFET Modules
Tipo de producto: MOSFET Modules
Tiempo de subida: 8.6 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 28
Subcategoría: Discrete and Power Modules
Tipo: Full Bridge
Tiempo de retardo de apagado típico: 103 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 33.3 ns
Vf - Tensión directa: 4.67 V
Ancho: 33.8 mm
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Atributos seleccionados: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module

onsemi NXH015F120M3F1PTG Silicon Carbide (SiC) Module features 15mΩ/1200V M3S SiC MOSFET full-bridge topology and a thermistor with Al2O3 DBC in an F1 package. This power module features at +22V/-10V gate source voltage, 77A continuous drain current @ TC = 80°C (TJ = 175°C), 198W maximum power dissipation, and 12.7mm creepage distance. The NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFET comes with pre-applied Thermal Interface Material (TIM) and without pre-applied TIM. The SiC module is Pb-free, Halide-free, and RoHS compliant. Typical applications include a solar inverters, uninterruptible power supplies, electric vehicle charging stations, and industrial power.