Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 38

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Id - Corriente de drenaje continua

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

ThinPAK-5

N-Channel

1 Channel

600 V

19.2 A

189 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 40 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

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IPL60R180P6AUMA1
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1: $3.16
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$3.16

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$1.56

$1.53

Envase tipo carrete

$1.46

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

VSON-4

N-Channel

1 Channel

600 V

22.4 A

162 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 40 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

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IPA60R190P6
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1: $3.15
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$2.05

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$1.17

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.2 A

190 Ohms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R190P6
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1: $3.49
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$2.28

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.2 A

190 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R600P6
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$1.43

$0.963

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

540 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

28 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPD60R380P6ATMA1
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$0.644

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$0.576

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

10.6 A

380 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

31 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRC/PRFRM

IPW60R190P6
Infineon Technologies
1: $4.21
585En existencias

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IPW60R190P6

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726-IPW60R190P6

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$4.21

$2.76

$2.06

$1.72

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20.2 A

171 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

37 nC

- 55 C

+ 150 C

151 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R600P6ATMA1
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1: $1.72
1,986En existencias

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IPD60R600P6ATMA1

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726-IPD60R600P6ATMA1

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$0.572

Envase tipo carrete

$0.467

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

7.3 A

600 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

CoolMOS

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IPP60R160P6
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1: $3.87
386En existencias

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726-IPP60R160P6

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$2.52

$1.77

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPP60R125P6
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1: $5.38
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$2.63

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

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IPA60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $4.64
852En existencias

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IPA60R125P6XKSA1

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726-IPA60R125P6XKSA1

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$4.64

$2.72

$2.22

$1.68

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.60
881En existencias

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IPA60R099P6XKSA1

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726-IPA60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

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$5.60

$2.92

$2.67

$2.51

$2.23

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.85
1,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

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$3.30

$2.73

$2.66

$2.37

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Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

278 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6
Infineon Technologies
1: $2.83
39En existencias
500Se espera el 25/08/2026

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726-IPA60R280P6

Infineon Technologies

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500Se espera el 25/08/2026

$2.83

$1.82

$1.24

$1.04

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Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.7A TO220FP-3

IPA60R280P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.72
736En existencias

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IPA60R280P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P6XKSA1

Infineon Technologies

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$1.34

$1.20

$0.96

$0.838

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

13.8 A

252 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

25.5 nC

- 55 C

+ 150 C

32 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R160P6ATMA1
Infineon Technologies
1: $4.09
27En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160P6ATMA1

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5,000En pedido

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$4.09

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$1.56

Envase tipo carrete

$1.46

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Mult.: 1

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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

160 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $5.41
115En existencias

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IPW60R125P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6XKSA1

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$5.41

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$2.51

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

30 A

113 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

219 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R160P6FKSA1
Infineon Technologies
1: $4.73
343En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R160P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R160P6FKSA1

Infineon Technologies

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343En existencias

$4.73

$2.63

$2.45

$1.81

$1.78

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Mult.: 1

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TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

176 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6
Infineon Technologies
1: $5.87
383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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383En existencias

$5.87

$3.85

$2.89

$2.45

$2.23

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Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

37.9 A

89 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

70 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: $3.87
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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$2.52

$1.77

$1.47

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $3.72
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1,000Se espera el 10/09/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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8En existencias

1,000Se espera el 10/09/2026

$3.72

$1.88

$1.70

$1.37

$1.29

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

23.8 A

144 mOhms

- 20 V, 20 V

3.5 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

34 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

IPA60R230P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $2.97
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IPA60R230P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R230P6XKSA1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 8.6A TO220FP-3

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532En existencias

$2.97

$1.47

$1.35

$1.09

$0.95

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Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16.8 A

538 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

31 nC

- 55 C

+ 150 C

33 W

Enhancement

CoolMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPP60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
1: $6.67
214En existencias
500Se espera el 8/06/2026

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P6XKSA1

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726-IPP60R099P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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214En existencias

500Se espera el 8/06/2026

$6.67

$3.89

$3.22

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