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NTH4L023N065M3S

Name: onsemi NTH4L023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L023N065M3S
Price: 12.39 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

863-NTH4L023N065M3S

Fabricante N.º:

NTH4L023N065M3S

Fabricante:

onsemi

Descripción:

MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$12.39	$12.39
	$8.60	$86.00
	$6.37	$764.40

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	33 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4 V
Qg - Carga de puerta:	69 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	245 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	EliteSiC
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.6 ns
Empaquetado:	Tube
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	15 ns
Serie:	NTH4L023N065M3S
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	35 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	11 ns

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Hoja de datos

NTH4L023N065M3S Hoja de datos

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

NTH4L023N065M3S SiC MOSFET

onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET offers a 650V blocking voltage rating, 153pF output capacitance, and a TO-247-4L package with Kelvin source configuration. This MOSFET is designed for fast switching applications, and the featured planar technology works reliably with negative gate voltage drive and turn-off spikes on the gate. The NTH4L023N065M3S MOSFET provides optimum performance when driven with an 18V gate drive and works well with a 15V gate drive. onsemi NTH4L023N065M3S SiC MOSFET is ideal for EV chargers, AI data centers, and solar applications.

Energy Storage Solutions

onsemi Energy Storage Systems (ESS) store electricity from various power sources, like coal, nuclear, wind, and solar, in different forms, including batteries (electrochemical), compressed air (mechanical), and molten salt (thermal). This solution focuses on battery energy storage systems connected to solar inverter systems.