Resultados: 201
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 48 Amps 500V 0.1 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 49 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 55A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 47 Semanas
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 90A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 90 Amps 300V 0.033 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 25

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 34 Amps 1000V 0.28W Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 25
Mult.: 25


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 105A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 60V 0.005 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 85V 0.007 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12 Amps 1000V 1.05 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 500V 0.23 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 58 Amps 200V 0.08W Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100 Amps 250V 0.027 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V 120A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 Amps 150V 0.0125 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26 Amps 900V 0.3 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 500V 0.1 Rds
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 30
Mult.: 30


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 300V 90A
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 300
Mult.: 30

IXYS Rectificadores 6 Amps 600V
Hoja de datos
Plazo de entrega 34 Semanas

IXYS Rectificadores 60 Amps 600V 2.04 Rds
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 30 Semanas


IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650v/32A Power MOSFET
Hoja de datos
N/A

Littelfuse LSIC2SD120C05A
Littelfuse Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 1200V 05A TO252-2L No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Littelfuse LSIC2SD120C08A
Littelfuse Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 1200V 08A TO252-2L
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 2,500
Mult.: 2,500

Littelfuse LSIC2SD120D15A
Littelfuse Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 1200V 15A TO263-2L No en existencias
Min.: 800
Mult.: 800
Littelfuse LSIC2SD120D20A
Littelfuse Diodos Schottky de SiC SiC Schottky Diode 1200V 20A TO263-2L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 800