Semiconductores discretos – Mouser Guatemala

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MDmesh™ II Power MOSFETs

STMicroelectronics 600 and 650V MDmesh™ M2 series of super-junction Power MOSFETs are optimized for soft-switching applications (LLC resonant power supplies) thanks to the optimized trade-off between R_DS(on), gate charge (Qg) and intrinsic capacitances (Ciss, Coss). They also are suitable for PFC applications, especially at light loads.

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

STD13N65M2
STMicroelectronics
1: $2.13
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STD13N65M2

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511-STD13N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.117 Ohm typ., 24 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF33N65M2
STMicroelectronics
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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package

STI28N60M2
STMicroelectronics
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STI28N60M2

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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STL33N60M2
STMicroelectronics
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PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

STW40N60M2
STMicroelectronics
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STW40N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-chanel 600 V 0.078 Ohm typ 34 A

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TO-247-3

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STD7N60M2
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DPAK-3 (TO-252-3)

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STL16N60M2
STMicroelectronics
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STL16N60M2

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PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.078Ohm typ. 34A MDmesh M2

STP40N60M2
STMicroelectronics
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STP40N60M2

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TO-220-3

STB28N60M2
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SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STU7N60M2
STMicroelectronics
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STU7N60M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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Through Hole

TO-251-3

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STF40N65M2
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TO-220-3

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STU13N60M2
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TO-251-3

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STB24N60M2
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STB33N65M2
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STB33N65M2

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D2PAK-3 (TO-263-3)

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STL18N65M2
STMicroelectronics
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STL18N65M2

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PowerFLAT-5x6-8

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STD16N65M2
STMicroelectronics
1: $3.03
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STD16N65M2

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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STD5N60M2

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STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 1.3 Ohm typ., 3.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2

STP18N60M2
STMicroelectronics
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STP18N60M2

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TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.400 Ohm typ., 6.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in PowerFLAT 5x6 H

STL12N60M2
STMicroelectronics
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STL12N60M2

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511-STL12N60M2

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SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

STU6N65M2
STMicroelectronics
1: $1.75
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TO-251-3

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STP16N65M2
STMicroelectronics
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250En existencias
1,000Se espera el 10/08/2026

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF12N60M2
STMicroelectronics
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2,026En existencias

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STF12N60M2

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511-STF12N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.135Ohm typ. 22A MDmesh M2

STF28N60M2
STMicroelectronics
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STF28N60M2

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511-STF28N60M2

STMicroelectronics

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

STF9N60M2
STMicroelectronics
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STF9N60M2

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511-STF9N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2

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Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

STF7N60M2
STMicroelectronics
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STF7N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF7N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.86Ohm 5A MDmesh M2

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TO-220-3

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