Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

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Resultados: 719

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFK64N60P3
IXYS
1: $21.54
1,634En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK64N60P3

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747-IXFK64N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET

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1,634En existencias

$21.54

$13.83

$13.22

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

95 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

145 nC

- 55 C

+ 150 C

1.13 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

IXFP72N20X3
IXYS
1: $11.38
3,498En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP72N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP72N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 200V 72A N-CH X3CLASS

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3,498En existencias

$11.38

$6.36

$5.86

$5.79

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

200 V

72 A

20 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

55 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

IXFK150N30P3
IXYS
1: $27.40
1,488En existencias

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IXFK150N30P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode

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$27.40

$17.69

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

300 V

150 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.3 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFT170N25X3HV
IXYS
1: $24.57
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N.º de artículo del Fabricante
IXFT170N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT170N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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$24.57

$16.95

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

IXFA10N80P
IXYS
1: $6.59
8,813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA10N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA10N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds

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8,813En existencias

$6.59

$3.49

$3.03

$2.81

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

800 V

10 A

1.1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

40 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

IXFX64N60P
IXYS
1: $27.91
1,138En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX64N60P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX64N60P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET

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1,138En existencias

$27.91

$18.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

600 V

64 A

96 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

200 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds

IXFR140N30P
IXYS
1: $29.75
210En existencias
300Se espera el 15/02/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXFR140N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFR140N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 82 Amps 300V 0.026 Ohm Rds

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210En existencias

300Se espera el 15/02/2027

$29.75

$19.91

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

70 A

26 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

185 nC

- 55 C

+ 150 C

300 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

IXFX52N100X
IXYS
1: $41.87
94En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX52N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX52N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET

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94En existencias

$41.87

$33.09

$25.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

52 A

125 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

245 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

IXFK32N100X
IXYS
1: $30.24
101En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-264 Power MOSFET

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101En existencias

$30.24

$22.39

$19.61

$18.51

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFT94N30T
IXYS
1: $26.09
97En existencias
300Se espera el 25/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
IXFT94N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT94N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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97En existencias

300Se espera el 25/01/2027

$26.09

$20.89

$18.06

$16.36

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

300 V

94 A

36 mOhms

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

IXFH340N075T2
IXYS
1: $15.40
1,303En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH340N075T2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH340N075T2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A

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1,303En existencias

$15.40

$10.58

$8.58

$8.39

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

75 V

340 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

300 nC

- 55 C

+ 175 C

935 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFH86N30T
IXYS
1: $14.68
293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH86N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH86N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

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293En existencias

$14.68

$8.93

$8.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

86 A

43 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

180 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

IXFP22N60P3
IXYS
1: $7.57
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP22N60P3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP22N60P3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET

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Hoja de datos

476En existencias

$7.57

$4.06

$3.72

$3.38

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

22 A

360 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

38 nC

500 W

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 150A N-CH X3CLASS

IXFT150N25X3HV
IXYS
1: $32.60
238En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFT150N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT150N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 250V 150A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

238En existencias

$32.60

$22.34

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

150 A

9 mOhms

- 10 V, 10 V

2.5 V

154 nC

- 55 C

+ 150 C

735 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

IXFY30N25X3
IXYS
1: $9.12
660En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFY30N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFY30N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

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660En existencias

$9.12

$4.92

$4.53

$4.47

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

1 Channel

250 V

30 A

60 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

21 nC

- 55 C

+ 150 C

170 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: $18.30
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

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Hoja de datos

239En existencias

$18.30

$11.35

$10.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

80 A

38 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

137 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

IXFA3N120
IXYS
1: $12.63
1,528En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA3N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA3N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 3 Amps 1200V 4.5 Rds

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Hoja de datos

1,528En existencias

$12.63

$7.13

$6.63

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

3 A

4.5 Ohms

- 20 V, 20 V

2.5 V

39 nC

- 55 C

+ 150 C

200 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

IXFH18N100Q3
IXYS
1: $23.95
262En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH18N100Q3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH18N100Q3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A

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Hoja de datos

262En existencias

$23.95

$16.09

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

18 A

660 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

90 nC

- 55 C

+ 150 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

IXFH32N100X
IXYS
1: $28.01
468En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH32N100X

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH32N100X

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1000V 32A TO-247 Power MOSFET

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Hoja de datos

468En existencias

$28.01

$18.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1 kV

32 A

220 mOhms

- 30 V, 30 V

3.5 V

130 nC

- 55 C

+ 150 C

890 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

IXFK170N10P
IXYS
1: $18.33
1,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHT HiperFET 100v, 170A

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Hoja de datos

1,245En existencias

$18.33

$12.33

$10.44

$10.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

100 V

170 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

5 V

198 nC

- 55 C

+ 175 C

714 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

IXFK80N50P
IXYS
1: $27.79
388En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK80N50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK80N50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 500V 80A

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Hoja de datos

388En existencias

$27.79

$18.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

500 V

80 A

65 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

197 nC

- 55 C

+ 150 C

1.04 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

IXFH20N80P
IXYS
1: $13.24
254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH20N80P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH20N80P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 800V 0.52 Rds

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Hoja de datos

254En existencias

$13.24

$7.98

$7.05

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

800 V

20 A

520 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

86 nC

- 55 C

+ 150 C

500 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

IXFH46N65X2
IXYS
1: $13.45
350En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH46N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH46N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2

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Hoja de datos

350En existencias

$13.45

$8.12

$7.20

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

46 A

76 mOhms

- 30 V, 30 V

2.7 V

75 nC

- 55 C

+ 150 C

660 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

IXFH72N30X3
IXYS
1: $14.96
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH72N30X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH72N30X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 300V 72A N-CH X3CLASS

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Hoja de datos

221En existencias

$14.96

$9.12

$8.27

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

300 V

72 A

19 mOhms

- 30 V, 30 V

2.5 V

82 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

IXFK140N20P
IXYS
1: $20.54
284En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK140N20P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK140N20P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 140 Amps 200V 0.018 Rds

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Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

140 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

240 nC

- 55 C

+ 175 C

830 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

HiPerFET™ Power MOSFETs

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Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
ISOPLUS-i4-PAK-5
ISOPLUS-i5-PAK-5
PLUS-264-3
SMPD-24
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3
TO-247-4
TO-247-PLUS-3
TO-251-3
TO-252-3
TO-263-3
TO-263-7
TO-263AA-3
TO-264-3
TO-268-3
TO-3P

36 V
40 V
55 V
60 V
65 V
70 V
75 V
85 V
100 V
105 V
120 V
135 V
150 V
170 V
175 V
200 V
250 V
300 V
500 V
600 V

2 A
2.1 A
2.3 A
3 A
3.5 A
4 A
5 A
6 A
7 A
8 A
9 A
9.5 A
10 A
10.5 A
12 A
13 A
14 A
15 A
16 A
18 A

1 mOhms
1.25 mOhms
1.3 mOhms
1.5 mOhms
1.6 mOhms
1.8 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.8 mOhms
2.9 mOhms
3 mOhms
3.1 mOhms
3.2 mOhms
3.3 mOhms
3.5 mOhms
4 mOhms
4.1 mOhms

4.3 nC
7 nC
8.3 nC
11 nC
11.8 nC
12 nC
17 nC
17.7 nC
18.5 nC
21 nC
22 nC
25.5 nC
26 nC
27 nC
27.4 nC
29 nC
30 nC
32 nC
33 nC
33.4 nC

1 mW
1.04 mW
1.13 mW
1.2 mW
1.25 mW
1.3 mW
1.67 mW
1.785 mW
30 W
32 W
33 W
34 W
36 W
37 W
40 W
42 W
43 W
50 W
55 W
58 W