TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 446
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
960En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Hoja de datos
741En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
Hoja de datos
235En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
330Se espera el 27/08/2026
Min.: 1
Mult.: 1
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
Hoja de datos
42En existencias
Min.: 1
Mult.: 1



STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
25En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SemiQ MOSFETs de SiC 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET
Hoja de datos
30En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4
Hoja de datos
60Se espera el 2/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY
Hoja de datos
420Se espera el 8/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
240Se espera el 29/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package
Hoja de datos
240Se espera el 25/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1

WeEn Semiconductors MOSFETs de SiC WNSC2M150120R/TO247-4L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
Hoja de datos
480Se espera el 22/04/2027
Min.: 1
Mult.: 1

Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Hoja de datos
450Se espera el 23/11/2026
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 750V
Hoja de datos
1,800Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 450
Mult.: 450

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Hoja de datos
3,600Existencias en fábrica disponibles
Más información disponible
Min.: 450
Mult.: 450

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V 0.080 Ohm N-ch MOSFET TO-247-4L(X) DTMOS
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
Min.: 240
Mult.: 240

SemiQ MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1700V, 30mohm TO-247-4L, Industrial
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SanRex MOSFETs de SiC SiC MOSFET TO-247 Single 1200V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 30
Mult.: 30

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Min.: 1,200
Mult.: 600

onsemi MOSFETs de SiC 750V/9MOSICFETG4TO247-
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 31 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 1200 V 180 mOhm TO-247
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 packag
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600