|
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
- NVH4L012N065M3S
- onsemi
-
1:
$21.99
-
439En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L012N065M3S
Nuevo producto
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 12MOHM 650V M3S
|
|
439En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
- NVH4L016N065M3S
- onsemi
-
1:
$18.04
-
450En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L016N065M3S
Nuevo producto
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S
|
|
450En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
- SCT3060ARC14
- ROHM Semiconductor
-
1:
$26.69
-
704En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT3060ARC14
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC TO247 650V 39A N-CH SIC
|
|
704En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R107M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.28
-
437En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA65R107M1HXKS
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
437En existencias
|
|
|
$8.28
|
|
|
$5.54
|
|
|
$4.45
|
|
|
$3.96
|
|
|
$3.51
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs INDUSTRY
- IKZ50N65ES5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.16
-
234En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKZ50N65ES5XKSA1
|
Infineon Technologies
|
IGBTs INDUSTRY
|
|
234En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
- NVH4L160N120SC1
- onsemi
-
1:
$13.36
-
181En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L160N120SC1
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM AUTO PART
|
|
181En existencias
|
|
|
$13.36
|
|
|
$7.99
|
|
|
$7.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-247-4L
- IXFH80N65X2-4
- IXYS
-
1:
$20.38
-
507En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N65X2-4
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/80A TO-247-4L
|
|
507En existencias
|
|
|
$20.38
|
|
|
$12.76
|
|
|
$12.31
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
- G3R12MT12K
- GeneSiC Semiconductor
-
1:
$62.01
-
1,687En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
905-G3R12MT12K
|
GeneSiC Semiconductor
|
MOSFETs de SiC 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
|
|
1,687En existencias
|
|
|
$62.01
|
|
|
$57.73
|
|
|
$56.12
|
|
|
$55.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
- LSIC1MO120G0040
- IXYS
-
1:
$29.46
-
423En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
576-LSIC1MO120G0040
|
IXYS
|
MOSFETs de SiC SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L
|
|
423En existencias
|
|
|
$29.46
|
|
|
$24.35
|
|
|
$22.37
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
- SCT4036KRHRC15
- ROHM Semiconductor
-
1:
$18.15
-
669En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT4036KRHRC15
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC TO247 1.2KV 43A N-CH SIC
|
|
669En existencias
|
|
|
$18.15
|
|
|
$13.56
|
|
|
$13.23
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
- SCT4045DRHRC15
- ROHM Semiconductor
-
1:
$12.96
-
321En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT4045DRHRC15
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC TO247 750V 34A N-CH SIC
|
|
321En existencias
|
|
|
$12.96
|
|
|
$8.83
|
|
|
$7.96
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
- FGH40T120SQDNL4
- onsemi
-
1:
$10.01
-
257En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-FGH40T120SQDNL4
|
onsemi
|
IGBTs IGBT 1200V 40A UFS
|
|
257En existencias
|
|
|
$10.01
|
|
|
$5.93
|
|
|
$5.02
|
|
|
$4.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
- NVH4L020N090SC1
- onsemi
-
1:
$37.91
-
450En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L020N090SC1
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM
|
|
450En existencias
|
|
|
$37.91
|
|
|
$28.09
|
|
|
$26.97
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPZA65R018CFD7XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$21.64
-
140En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-ZA65R018CFD7XKSA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
140En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
- NVH4L040N120SC1
- onsemi
-
1:
$28.06
-
224En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NVH4L040N120SC1
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
|
|
224En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
- FGH75T65SQDTL4
- onsemi
-
1:
$7.56
-
376En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FGH75T65SQDTL4
|
onsemi
|
IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
|
|
376En existencias
|
|
|
$7.56
|
|
|
$4.38
|
|
|
$3.68
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
- IKZA50N65RH5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.35
-
279En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IKZA50N65RH5XKSA
|
Infineon Technologies
|
IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
|
|
279En existencias
|
|
|
$8.35
|
|
|
$5.54
|
|
|
$4.41
|
|
|
$4.00
|
|
|
$3.78
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
- FGHL50T65MQDTL4
- onsemi
-
1:
$6.37
-
321En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-FGHL50T65MQDTL4
|
onsemi
|
IGBTs FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
|
|
321En existencias
|
|
|
$6.37
|
|
|
$4.12
|
|
|
$3.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
- STW88N65M5-4
- STMicroelectronics
-
1:
$16.99
-
166En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag
|
|
166En existencias
|
|
|
$16.99
|
|
|
$11.35
|
|
|
$10.76
|
|
|
$10.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
- SCT3080ARC14
- ROHM Semiconductor
-
1:
$21.64
-
529En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
755-SCT3080ARC14
NRND
|
ROHM Semiconductor
|
MOSFETs de SiC 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
|
|
529En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R011M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$20.47
-
266En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R011M2HXKS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
266En existencias
|
|
|
$20.47
|
|
|
$14.29
|
|
|
$12.07
|
|
|
$10.51
|
|
|
Ver
|
|
|
$9.67
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R015M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$16.48
-
240En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R015M2HXKS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
240En existencias
|
|
|
$16.48
|
|
|
$12.55
|
|
|
$10.46
|
|
|
$9.32
|
|
|
$8.71
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA40R025M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.95
-
238En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZA40R025M2HXKS
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
238En existencias
|
|
|
$11.95
|
|
|
$7.69
|
|
|
$6.43
|
|
|
$5.67
|
|
|
$5.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
- IMZC140R019M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$20.09
-
162En existencias
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R019M2HXK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
|
|
162En existencias
|
|
|
$20.09
|
|
|
$12.97
|
|
|
$11.22
|
|
|
$10.44
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
- IMZC140R038M2HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.20
-
305En existencias
-
480En pedido
-
Nuevo producto
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMZC140R038M2HXK
Nuevo producto
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
|
|
305En existencias
480En pedido
|
|
|
$13.20
|
|
|
$8.67
|
|
|
$7.40
|
|
|
$6.45
|
|
|
$5.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
