TO-247-4 Semiconductores

Resultados: 446
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 3300V 80 mOhm TO-247-4L-Notch
Hoja de datos
854En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
Hoja de datos
1,595En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UF3N120007K4S
Hoja de datos
1,117En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) 750V/9MOCOMBO-FETG4TO2
Hoja de datos
555En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

Microchip Technology MOSFETs de SiC MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
Hoja de datos
168En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
Hoja de datos
690En existencias
240Se espera el 15/10/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
Hoja de datos
89En existencias
480Se espera el 27/07/2026
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
Hoja de datos
471En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Hoja de datos
1,026En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 70

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
Hoja de datos
754En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, FRD Built-in, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Hoja de datos
894En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 69A, TO-247-4L, Field Stop Trench IGBT for Automotive
Hoja de datos
408En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi Transistor de unión de efecto de campo (JFET) UJ4N075005K4S
Hoja de datos
336En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 20

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
604En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 45

onsemi MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Hoja de datos
396En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 10

APC-E MOSFETs de SiC 1200V 13mR, TO247-4L, Automotive Grade
Hoja de datos
290En existencias
Min.: 1
Mult.: 1



Coherent MOSFETs de SiC 1200V SIC Mosfet 20mOHm 200C Temp TO247-4 AEC-Q101
Hoja de datos
139En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC SIC_DISCRETE
Hoja de datos
1,699En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
1,062En existencias
720Se espera el 3/09/2026
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
1,077En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
Hoja de datos
7,073En existencias
10,320En pedido
Min.: 1
Mult.: 1


onsemi MOSFETs de SiC DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Hoja de datos
689En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 30


onsemi MOSFETs de SiC SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L
Hoja de datos
769En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40

Wolfspeed MOSFETs de SiC SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
840En existencias
Min.: 1
Mult.: 1