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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
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697En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
Toshiba Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F
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2,100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 600V
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2,996En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

onsemi IGBTs 650V/30A FS4 SCR IGBT D2PAK AUTOMOTIVE
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632En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 800

onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL REFRESH - T6 40V (N-CH)
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2,009En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 55 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
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204En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 50
: 3,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications
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615En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor
Hoja de datos
602En existencias
5,000Se espera el 18/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5,000

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
Hoja de datos
347En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800
TDK-Lambda Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 3.3-30V, 80A, 1x1, 0.145" pin length
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40En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

TDK-Lambda Módulos MOSFET ORing Module, PCB Mount, 5-60V, 60A, 1x1, 0.145" pin length
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43En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Mini-Circuits Amplificador de RF MMIC Amplifier
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2,364En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

IXYS Módulos MOSFET 200V 1.99mohm 500A Ultra Junction X4-Class Power MOSFET in SOT-227B
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520En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Módulos IGBT MODULES IGBT - ECONO IGBT
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21En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay Semiconductors Módulos IGBT MODULES IGBT - ECONO IGBT
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18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Power Integrations Conversores CA/DC 50 W (85-265 VAC)
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1,945En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,000

Silicon Labs System on a Chip (SoC) RF BG24L, 2.4 GHz, 768kB Flash, 96kB RAM, +10 dBm, +85C, QFN40
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2,698En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Silicon Labs System on a Chip (SoC) RF BG24L, 2.4 GHz, 768kB Flash, 96kB RAM, +10 dBm, +85C, QFN40
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5,000En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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6,549En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Vishay Rectificadores y diodos Schottky 2A,200V,SMF,TRENCH SKY RECT
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10,818En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Vishay Rectificadores y diodos Schottky RECT 100V 100A SM SCHOTTKY
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892En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Analog Devices Circuitos integrados de interruptores de RF 20GHz, 2W, 18dBm termination, SP4T
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278En existencias
1,000Se espera el 12/05/2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Silicon Labs System on a Chip (SoC) RF FG23, Sub-GHz, 512kB Flash, 64kB RAM, +20 dBm, Secure Vault-High, +125C, QFN48
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5,392En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MACOM Atenuadores Attenuator, DC-55 GHz, 5 bits, 3 mm, T&R
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1,697En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
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5,739En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1,800