IS43LR16160H-6BLI

ISSI
870-IS43LR16160H6BLI
IS43LR16160H-6BLI

Fabricante:

Descripción:
DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.
Más información
Conozca más sobre ISSI IS43LR16160H-6BLI

Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$9.65 $9.65
$8.97 $89.70
$8.70 $217.50
$8.49 $424.50
$8.29 $829.00
$7.67 $2,301.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
ISSI
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM Mobile - DDR
256 Mbit
16 bit
166 MHz
BGA-60
16 M x 16
6 ns
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 85 C
IS43LR16160H
Marca: ISSI
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 300
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 55 mA
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542320024
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
Taiwán
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

Mobile DDR SDRAM

ISSI Mobile DDR SDRAM is organized as 4 banks of 16,777,216 words x 16 bits and uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The Data Input/Output signals are transmitted on a 16-bit bus. The double data rate architecture is essentially a 2N prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. ISSI Mobile DDR SDRAM offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 2n-bits prefetched to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVCMOS.

Se ha producido un error inesperado.


¿Tiene alguna pregunta? Visite el Centro de ayuda.
Si tiene preguntas sobre un pedido específico, inicie sesión en su cuenta.

Si tiene más problemas, comuníquese con nosotros al 800-346-6873 o envíe un correo electrónico a help@mouser.com.