DDR SDRAM

La tecnología revolucionaria e innovadora DDR SDRAM de Micron permite que las aplicaciones transfieran datos en los extremos de subida y caída de la señal de reloj. Esto duplica el ancho de banda y mejora el rendimiento en SDR SDRAM. Para lograr esta funcionalidad, Micron utiliza una arquitectura 2n-prefetch en la que el bus de datos internos duplica el tamaño del bus de datos externos; así, la captura de datos puede ocurrir dos veces por cada ciclo de reloj.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tipo
Tamaño de memoria
Ancho de bus de datos
Frecuencia de reloj máxima
Paquete / Cubierta
Organización
Tiempo de acceso
Voltaje de alimentación - Mín.
Voltaje de alimentación - Máx.
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Serie
Empaquetado
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 60/108 FBGA 1 IT
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4,982En existencias
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Máx.: 4,104

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 IT
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7,032En existencias
Min.: 1
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SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512Mbit 16 66/66TSOP 1 CT
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5,925En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,320

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 512M 32MX16 TSOP
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532En existencias
MouseReel Disponible
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SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 200 MHz TSOP-66 32 M x 16 700 ps 2.5 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron DRAM DDR 512Mbit 8 66/66TSOP 1 CT
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720En existencias
Min.: 1
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Máx.: 720

SDRAM - DDR 512 Mbit 8 bit 200 MHz TSOP-66 64 M x 8 700 ps 2.5 V 2.7 V 0 C + 70 C MT46V Tray
Micron DRAM DDR 256M 16MX16 FBGA
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6En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6
Carrete: 1,000

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 200 MHz FBGA-60 16 M x 16 700 ps 2.3 V 2.7 V - 40 C + 85 C MT46V Reel, Cut Tape, MouseReel