Ampleon RF e inalámbricos

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S100/TO270/REEL 270En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S30/TO270/REEL 408En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP2425M10S250P/OMP-78/REELDP 83En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9G0722-20G/SOT1483/REELDP 405En existencias
1,000En pedido
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-350A/OMP-780/REELDP 48En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-500AWT/OMP-780/REELDP 57En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP9H10S-850AVT/OMP1230-/REELD 179En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735L-50/SOT1135/TRAY 74En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLS9G2735LS-50/SOT1135/TRAY 45En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) CLF3H0035S-100/SOT467B/TRAY 50En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-400AVT/SOT1275/REEL 80En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL 90En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/REEL 78En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-570AVT/SOT1258/REEL 100En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-400AVT/SOT1258/REELDP 87En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL 97En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/REELDP 100En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC9H10XS-350A/SOT1273/TRAYDP 35En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-stage power MMIC 45En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LDMOS 2-Stage Power MMIC 19En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S100G/TO270/REEL 50En existencias
100Se espera el 5/10/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15H9S30G/TO270/REEL 42En existencias
200Se espera el 19/10/2026
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP15M9S70/TO270/REEL 59En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLP5LA55S/TO270/REEL 54En existencias
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Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) ART2K0FE/SOT539/TRAY
607En pedido
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