Guerrilla RF Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Empaquetado
Guerrilla RF GRF0020D
Guerrilla RF Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 50V, DC - 7GHz, 30W GaN HEMT, Bare Die
Hoja de datos
No en existencias
GaN-on-SiC 1.27 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 30 W + 225 C SMD/SMT Waffle
Guerrilla RF GRF0030D
Guerrilla RF Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 50V, DC - 6.0GHz, 50W GaN HEMT, Bare Die
Hoja de datos
No en existencias
GaN-on-SiC 1.93 mA 150 V 0 Hz to 7 GHz 50 W + 225 C SMD/SMT Waffle