62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules

Infineon Technologies 62mm C Series TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules offer high power density and a positive temperature coefficient. The TRENCHSTOP IGBT7 technology and standard housing make the modules ideal for servo drives, UPS systems, and commercial agriculture vehicles. The Infineon 62mm C Series TRENCHSTOP IGBT7 Modules are qualified for industrial applications.

Resultados: 7
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Producto Configuración Máx. voltaje VCEO colector-emisor Voltaje de saturación colector-emisor Colector de Corriente Continua a 25 C Corriente de fuga puerta-emisor Paquete / Cubierta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 62 mm C-Series module with TRENCHSTOP IGBT7 and emitter controlled 7 diode 30En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 600 A dual IGBT module 24En existencias
8Se espera el 11/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A common emitter IGBT module 32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module 32En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 800 A dual IGBT module 28En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Module Half Bridge 1.2 kV 1.5 V 800 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 450 A dual IGBT module
32Se espera el 11/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 450 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 600 A dual IGBT module
32Se espera el 11/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 100 nA 106.4 mm x 61.4 mm x 30.5 mm - 40 C + 175 C Tray