Electrical Vehicle DC Fast Chargers

DC charging stations are designed to convert the electrical grid’s AC power into DC power that can then be fed directly into a vehicle’s battery system for fast charging – in 30 minutes or less. Because the conversion from AC to DC power is being done in the charging station, these units can provide higher levels of power (50kW to 350kW and beyond) to the vehicle compared to AC charging stations. Working with tens to hundreds of kilowatts of power, efficient conversion, reliability of the system, and user safety are critical.

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170A 200V
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1En existencias
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MOSFETs Si Through Hole TO-264-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V/64A Power MOSFET
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3En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 6A 200uA 400V
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743En existencias
Min.: 1
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SCRs Through Hole TO-251
Littelfuse SCR SCR 400V 55A
Hoja de datos
81En existencias
Min.: 1
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SCRs Screw Mount SMTO-218
Littelfuse SCR 6A 600V
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407En existencias
Min.: 1
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SCRs Through Hole TO-251-3

Littelfuse SCR Thy SenSCR SOT-89
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967En existencias
Min.: 1
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Carrete: 1,000
SCRs SMD/SMT SOT-89-3
Littelfuse SCR 8A 1000V
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26En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-251-3
Littelfuse SCR 12A 1000V
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208En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-251-3
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 4th generation (Gen 4) Trench IGBT. Disc IGBT Gen 4 XPT TO247
Hoja de datos
154En existencias
1,470Se espera el 10/06/2026
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
Hoja de datos
135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 4A 200uA 400V Sensing
Hoja de datos
1,241En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole TO-251-3
Littelfuse SCR SCR 400V 35A Iso
Hoja de datos
219En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse SCR SCR TO92 800V .5A SEN THY
Hoja de datos
3,875En existencias
Min.: 1
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SCRs Through Hole TO-92-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
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298En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
Littelfuse SCR 1.5 Amp Sensitive SCR
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2,929En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SCRs SMD/SMT SOT-223

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
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261En existencias
Min.: 1
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MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 10 Amps 800V 1.1 Rds
Hoja de datos
292En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Polar HiperFET Power MOSFET
Hoja de datos
297En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 76 Amps 250V 39 Rds
Hoja de datos
248En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-3P-3
IXYS IGBTs 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT
Hoja de datos
169En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 900V 60A 2.7V XPT IGBT GenX3
Hoja de datos
142En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
Littelfuse SCR SCR 600V 70A
Hoja de datos
245En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SCRs Through Hole SMTO-218
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS Diode Low Cap P6KE
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3,476En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000
DO-15 (DO-204AC)
Littelfuse Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS TVS Diode Low Cap P6KE
Hoja de datos
3,431En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 4,000

DO-15 (DO-204AC)

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 22A
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269En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3