550 W Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Resultados: 9
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
90En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
97En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 6.4 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel, Cut Tape, MouseReel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-551AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G18XS-552AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 1.805 GHz to 1.88 GHz 16.1 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G22XS-551AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.1 GHz to 2.2 GHz 16 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLC10G27XS-551AVT/SOT1258/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

Dual N-Channel LDMOS 65 V 62 mOhms, 108 mOhms 2.62 GHz to 2.69 GHz 13 dB 550 W - 40 C + 125 C SMD/SMT SOT1258-4-7 Tray
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Dual N-Channel Si 105 V 80 mOhms 734 MHz to 821 MHz 18.2 dB 550 W + 225 C SMD/SMT HBSOF-6-2 Reel