Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.

Tipos de Diodos y rectificadores

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Estilo de montaje Paquete / Cubierta Vr - Tensión inversa Vf - Tensión directa If - Corriente directa
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 158En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 15 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 30 A SiC SBD 835En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 69 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-220 862En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220FP-2 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD 132En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 1200 V, 10 A SiC SBD 225En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 1.2 kV 1.5 V 27 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 43En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.7 kV 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 700 V 30 A TO-247 225En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 30A SiC SBD 164En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.5 V 60 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 30 A TO-268 45En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 30 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 50 A SiC SBD 145En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-247 52En existencias
120Se espera el 13/04/2026
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC SIC SBD 1200 V 50 A TO-268 65En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 1.2 kV 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD 23En existencias
Min.: 1
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 10 A SiC SBD 325En existencias
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 10 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700V, 50A SiC SBD 44En existencias
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT D3PAK 700 V 1.5 V 50 A
Microchip Technology Diodos Schottky de SiC 700 V, 20 A SiC SBD Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2 700 V 1.5 V 30 A
Microchip Technology Módulos de Diodos PM-DIODE-SIC-SBD-SOT227 Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
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Diode Modules Screw Mount SOT-227-4 1.2 kV 1.5 V