Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

Resultados: 6
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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Serie
Empaquetado
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET Mod: 1200V 120A (w/ Diode)
Hoja de datos
11En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 134 A - 6 V, + 22 V 2.3 V - 40 C + 150 C 935 W BSMx Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET Mod: 1200V 180A (no Diode)
Hoja de datos
2En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 204 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.36 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 4 V, + 22 V 5.6 V - 40 C + 150 C 1.26 kW Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET 300A SiC Power Module
Hoja de datos
4En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 300 A - 6 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 1.875 kW BSMx Bulk
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD
Hoja de datos
12En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 180 A - 4 V, + 22 V 2.7 V - 40 C + 150 C 880 W BSMx Tray
ROHM Semiconductor Módulos MOSFET SIC Pwr Module Half Bridge
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas
Min.: 4
Mult.: 4

SiC Screw Mount Module N-Channel 2 Channel 1.2 kV 400 A - 6 V, + 22 V 4 V - 40 C + 150 C 2.45 kW Bulk