|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
- STW13NK100Z
- STMicroelectronics
-
1:
$12.13
-
717En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW13NK100Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
|
|
717En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
- STW18N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.71
-
1,460En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW18N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 packag
|
|
1,460En existencias
|
|
|
$3.71
|
|
|
$2.03
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.22
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
- STW48NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$9.10
-
1,062En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW48NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
|
|
1,062En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
- STW57N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$10.08
-
504En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW57N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
|
|
504En existencias
|
|
|
$10.08
|
|
|
$6.70
|
|
|
$5.43
|
|
|
$5.19
|
|
|
$5.01
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
- STW70N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$8.95
-
647En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW70N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.031Ohm typ. 68A MDmesh M2
|
|
647En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
- STWA20N95K5
- STMicroelectronics
-
1:
$7.49
-
698En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA20N95K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V .275Ohm 17.5A Zener-protect
|
|
698En existencias
|
|
|
$7.49
|
|
|
$4.59
|
|
|
$3.38
|
|
|
$3.37
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.36
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
- TIP47
- STMicroelectronics
-
1:
$1.27
-
7,612En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
TIP47
N.º de artículo de Mouser
511-TIP47
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
|
|
7,612En existencias
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.37
|
|
|
$0.336
|
|
|
$0.30
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.292
|
|
|
$0.287
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistores Darlington 1.5 Amp Quad Switch
- ULN2065B
- STMicroelectronics
-
1:
$4.18
-
1,395En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ULN2065B
|
STMicroelectronics
|
Transistores Darlington 1.5 Amp Quad Switch
|
|
1,395En existencias
|
|
|
$4.18
|
|
|
$3.05
|
|
|
$2.79
|
|
|
$2.71
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.68
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Darlington Transistors
|
|
Through Hole
|
PDIP-16
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP General Purpose
- BD912
- STMicroelectronics
-
1:
$2.17
-
5,941En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BD912
N.º de artículo de Mouser
511-BD912
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP General Purpose
|
|
5,941En existencias
|
|
|
$2.17
|
|
|
$0.813
|
|
|
$0.78
|
|
|
$0.647
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.609
|
|
|
$0.586
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
- MD2001FX
- STMicroelectronics
-
1:
$3.48
-
5,277En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-MD2001FX
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Power Transistor
|
|
5,277En existencias
|
|
|
$3.48
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.17
|
|
|
$1.16
|
|
|
$1.12
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
ISOWATT-218FX-3
|
NPN
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB14N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.18
-
1,643En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB14N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.400 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
1,643En existencias
|
|
|
$4.18
|
|
|
$2.75
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.76
|
|
|
$1.47
|
|
|
$1.43
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
- STB6NK60ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.34
-
1,277En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB6NK60Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
|
|
1,277En existencias
|
|
|
$3.34
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.30
|
|
|
$1.09
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.05
|
|
|
$1.04
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
- STB80NF10T4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.59
-
1,533En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB80NF10
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 80 Amp
|
|
1,533En existencias
|
|
|
$3.59
|
|
|
$2.35
|
|
|
$1.64
|
|
|
$1.44
|
|
|
$1.23
|
|
|
$1.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp
- STD15NF10T4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.34
-
9,423En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD15NF10
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100 Volt 15 Amp
|
|
9,423En existencias
|
|
|
$1.34
|
|
|
$0.971
|
|
|
$0.712
|
|
|
$0.565
|
|
|
$0.431
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.516
|
|
|
$0.415
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
- STD2NK90ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.30
-
5,527En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NK90Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 2.1Amp Zener SuperMESH
|
|
5,527En existencias
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.926
|
|
|
$0.774
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.854
|
|
|
$0.755
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
- STD4NK100Z
- STMicroelectronics
-
1:
$3.16
-
7,897En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD4NK100Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1000 V, 5.4 Ohm typ., 2.2 A SuperMESH Power MOSFET in
|
|
7,897En existencias
|
|
|
$3.16
|
|
|
$2.06
|
|
|
$1.43
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.983
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
- STD5NM60T4
- STMicroelectronics
-
1:
$3.01
-
1,955En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp
|
|
1,955En existencias
|
|
|
$3.01
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.35
|
|
|
$1.13
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.92
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.92
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
- STD65N55F3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.95
-
2,303En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD65N55F3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) STripFET
|
|
2,303En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.896
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.893
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
- STD8N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.05
-
4,753En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD8N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.76 Ohm 6A MDmesh K5
|
|
4,753En existencias
|
|
|
$3.05
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.937
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
- STD9NM50N
- STMicroelectronics
-
1:
$1.88
-
7,196En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD9NM50N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
|
|
7,196En existencias
|
|
|
$1.88
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.806
|
|
|
$0.638
|
|
|
$0.51
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.59
|
|
|
$0.501
|
|
|
$0.477
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
- STF20N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.53
-
5,856En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF20N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch 650 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M5
|
|
5,856En existencias
|
|
|
$3.53
|
|
|
$1.59
|
|
|
$1.49
|
|
|
$1.32
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.15
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
- STGD3HF60HDT4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.28
-
18,609En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD3HF60HDT4
|
STMicroelectronics
|
IGBTs 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
|
|
18,609En existencias
|
|
|
$1.28
|
|
|
$0.802
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.419
|
|
|
$0.307
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.376
|
|
|
$0.298
|
|
|
$0.287
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK
|
|
|
|
|
IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
- STGD5NB120SZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$2.37
-
3,938En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGD5NB120SZ
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch 1200 Volt 5 Amp
|
|
3,938En existencias
|
|
|
$2.37
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.04
|
|
|
$0.828
|
|
|
$0.70
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.769
|
|
|
$0.687
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
|
|
|
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
- STGF10NB60SD
- STMicroelectronics
-
1:
$2.30
-
2,734En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGF10NB60SD
|
STMicroelectronics
|
IGBTs N-Ch 600 Volt 10 Amp
|
|
2,734En existencias
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.12
|
|
|
$1.00
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$0.801
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Ver
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$0.66
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$0.659
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$0.635
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBT Transistors
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Si
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Through Hole
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TO-220-3 FP
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IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
- STGWA100H65DFB2
- STMicroelectronics
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1:
$5.36
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1,000En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STGWA100H65DFB2
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STMicroelectronics
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IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
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1,000En existencias
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$5.36
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$3.30
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$2.83
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$2.82
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Ver
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$2.80
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Presupuesto
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Min.: 1
Mult.: 1
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IGBT Transistors
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Through Hole
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TO-247-3
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