|
|
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
- STGP10H60DF
- STMicroelectronics
-
1:
$2.18
-
1,971En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGP10H60DF
|
STMicroelectronics
|
IGBTs Trench gate H series 600V 10A HiSpd
|
|
1,971En existencias
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.792
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.699
|
|
|
$0.678
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
IGBT Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
- STL260N4F7
- STMicroelectronics
-
1:
$3.67
-
5,403En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STL260N4F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 40 V, 0.9 mOhm typ., 120 A, STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5
|
|
5,403En existencias
|
|
|
$3.67
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.69
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.38
|
|
|
$1.38
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-5x6-8
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
- STP12N60M2
- STMicroelectronics
-
1:
$2.35
-
968En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP12N60M2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.395 Ohm typ., 9 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
|
|
968En existencias
|
|
|
$2.35
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.834
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.747
|
|
|
$0.74
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
- STP13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$7.89
-
374En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
|
|
374En existencias
|
|
|
$7.89
|
|
|
$4.48
|
|
|
$4.12
|
|
|
$3.86
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
- STP18N60DM2
- STMicroelectronics
-
1:
$3.18
-
1,235En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP18N60DM2
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 packag
|
|
1,235En existencias
|
|
|
$3.18
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.52
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.10
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP46N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.40
-
994En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP46N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
994En existencias
|
|
|
$7.40
|
|
|
$5.23
|
|
|
$4.36
|
|
|
$3.88
|
|
|
$3.63
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
- STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics
-
1:
$3.87
-
810En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP7NK80ZFP
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 5.2 A Zener SuperMESH
|
|
810En existencias
|
|
|
$3.87
|
|
|
$1.97
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.48
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
- STP8N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.77
-
798En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STP8N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
|
|
798En existencias
|
|
|
$3.77
|
|
|
$1.96
|
|
|
$1.77
|
|
|
$1.45
|
|
|
$1.40
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
- STU7N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$2.63
-
1,841En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STU7N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
|
|
1,841En existencias
|
|
|
$2.63
|
|
|
$1.22
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.932
|
|
|
$0.835
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
- STW13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$8.63
-
1,107En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A
|
|
1,107En existencias
|
|
|
$8.63
|
|
|
$6.28
|
|
|
$5.23
|
|
|
$4.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
- STW33N60M6
- STMicroelectronics
-
1:
$5.65
-
427En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW33N60M6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
|
|
427En existencias
|
|
|
$5.65
|
|
|
$4.07
|
|
|
$2.94
|
|
|
$2.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
- STW58N65DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$12.09
-
454En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i
|
|
454En existencias
|
|
|
$12.09
|
|
|
$9.85
|
|
|
$8.21
|
|
|
$6.83
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
- STW75N65DM6-4
- STMicroelectronics
-
1:
$13.93
-
556En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STW75N65DM6-4
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 75 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO247-4 package
|
|
556En existencias
|
|
|
$13.93
|
|
|
$10.46
|
|
|
$9.16
|
|
|
$8.98
|
|
|
$8.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
- STWA30N65DM6AG
- STMicroelectronics
-
1:
$7.27
-
352En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA30N65DM6AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 90 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
|
|
352En existencias
|
|
|
$7.27
|
|
|
$4.37
|
|
|
$3.67
|
|
|
$3.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA65N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$7.21
-
589En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
589En existencias
|
|
|
$7.21
|
|
|
$5.33
|
|
|
$4.31
|
|
|
$3.76
|
|
|
$3.39
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
- STWA70N65DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$14.80
-
596En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea
|
|
596En existencias
|
|
|
$14.80
|
|
|
$11.05
|
|
|
$9.56
|
|
|
$8.45
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistores Darlington NPN Power Darlington
- MJD112T4
- STMicroelectronics
-
1:
$0.99
-
5,211En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-MJD112
|
STMicroelectronics
|
Transistores Darlington NPN Power Darlington
|
|
5,211En existencias
|
|
|
$0.99
|
|
|
$0.617
|
|
|
$0.403
|
|
|
$0.31
|
|
|
$0.248
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.281
|
|
|
$0.217
|
|
|
$0.199
|
|
|
$0.197
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
Darlington Transistors
|
|
SMD/SMT
|
TO-252
|
NPN
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
- MJD350T4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.12
-
4,766En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-MJD350T4
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
|
|
4,766En existencias
|
|
|
$1.12
|
|
|
$0.66
|
|
|
$0.46
|
|
|
$0.357
|
|
|
$0.249
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.235
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
- MJD45H11T4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.19
-
2,998En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-MJD45H11
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Switch
|
|
2,998En existencias
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.765
|
|
|
$0.509
|
|
|
$0.391
|
|
|
$0.282
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.359
|
|
|
$0.267
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-252-3
|
PNP
|
|
|
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
- PD55003S-E
- STMicroelectronics
-
1:
$11.13
-
472En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-PD55003S-E
|
STMicroelectronics
|
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER R.F.
|
|
472En existencias
|
|
|
$11.13
|
|
|
$7.75
|
|
|
$7.13
|
|
|
$7.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
RF MOSFET Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerSO-10RF-Straight-4
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB100N6F7
- STMicroelectronics
-
1:
$2.19
-
1,291En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB100N6F7
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 60 V, 4.7 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
1,291En existencias
|
|
|
$2.19
|
|
|
$1.40
|
|
|
$0.951
|
|
|
$0.758
|
|
|
$0.695
|
|
|
$0.679
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
- STB34NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$10.55
-
970En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB34NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
|
|
970En existencias
|
|
|
$10.55
|
|
|
$7.37
|
|
|
$6.13
|
|
|
$5.72
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
- STD2NC45-1
- STMicroelectronics
-
1:
$0.68
-
5,449En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2NC45-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 450V-4.1ohms 1.5A
|
|
5,449En existencias
|
|
|
$0.68
|
|
|
$0.555
|
|
|
$0.42
|
|
|
$0.33
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.275
|
|
|
$0.248
|
|
|
$0.221
|
|
|
$0.212
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
- STD5N52K3
- STMicroelectronics
-
1:
$1.91
-
1,510En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD5N52K3
|
STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
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1,510En existencias
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$1.91
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$1.22
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$0.812
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$0.655
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$0.588
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$0.541
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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SMD/SMT
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DPAK-3 (TO-252-3)
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N-Channel
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
- STF11NM50N
- STMicroelectronics
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1:
$3.83
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808En existencias
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N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM50N
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STMicroelectronics
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V
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808En existencias
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$3.83
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$2.02
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$1.68
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$1.57
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$1.45
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Min.: 1
Mult.: 1
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MOSFETs
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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