STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1,980
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.63 6.5A MDmesh II Power MO
Hoja de datos
2,341En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
20En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 120

RF MOSFET Transistors Si SMD/SMT B4E-5 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A
Hoja de datos
1,671En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
Hoja de datos
1,787En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.3 20 Ohm 10A MDmesh II
Hoja de datos
2,235En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s
Hoja de datos
33En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules Si Through Hole ACEPACK2
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
Hoja de datos
1,030En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp
Hoja de datos
919En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package
Hoja de datos
926En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington Eight NPN Array
Hoja de datos
36,525En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole PDIP-18 NPN
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5
Hoja de datos
2,921En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel
STMicroelectronics Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, fourpack topology, 650 V, 23 mOhm SiC Power MOSFET NTC
Hoja de datos
18En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules Press Fit ACEPACK
STMicroelectronics MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Hoja de datos
37En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TOLL-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
Hoja de datos
1,003En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
Hoja de datos
1,047En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel

STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
540En existencias
600Se espera el 20/04/2026
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 600

IGBTs Si SMD/SMT HU3PAK-7
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
766En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT
Hoja de datos
54En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model
Hoja de datos
145En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model
Hoja de datos
21En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT UB-4 PNP


STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 1200 V 40 A low-loss MS series IGBT in a
Hoja de datos
566En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
157En existencias
1,000Se espera el 1/03/2027
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Hoja de datos
197En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Carrete: 1,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Hoja de datos
532En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel


STMicroelectronics MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A
Hoja de datos
338En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole HiP-247-4 N-Channel