STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1,980
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Tipo de producto Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 1,828En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT 890En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT 1,196En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT 1,048En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 75 A low loss 675En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A 4,465En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss 968En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed 737En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads 692En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in 515En existencias
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IGBT Transistors Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a 1,254En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in H2PAK-2 package 1,250En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 0,62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in 2,222En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 0.002 Ohm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET in a H2PAK-6 pac 3,875En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 80 V, 1.7 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET i 1,005En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 1200 V, 7.25 Ohm typ., 1.5 A MDmesh K5 Power MOSFET i 3,954En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 2.1 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET 889En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH 795En existencias
3,000En pedido
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MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 5.2 mOhm typ., 100 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 7,245En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V 2,241En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-3.3x3.3-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.5 mOhm typ., 119 A STripFET F7 Power MOSFET i 4,204En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-4 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5 2,084En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x5-12 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in 9,797En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 80 V, 4.0 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x 7,737En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-CH 60V 0.13Ohm 12A STripFET VI 4,867En existencias
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MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 P-Channel