STMicroelectronics Transistores

Resultados: 1,973
Seleccionar Imagen N.° de pieza
 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 45 mOhm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Hoja de datos
400En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
Hoja de datos
1,120En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
164En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 1 Ohm 9A Zener MDmesh K5
Hoja de datos
1,826En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
832En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 66 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Hoja de datos
364En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
585En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
1,397En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1200 V, 1.65 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
Hoja de datos
814En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET
Hoja de datos
584En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900 Volt 8 Amp Zener SuperMESH
Hoja de datos
903En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le
Hoja de datos
650En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.065 Ohm typ., 40 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 long l
Hoja de datos
385En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
Hoja de datos
447En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.014 Ohm Mdmesh M5 130A
Hoja de datos
135En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.012 Ohm 138 A MDmesh M5
Hoja de datos
286En existencias
1,200Se espera el 13/04/2026
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 60 Amp
Hoja de datos
461En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole Max247-3 N-Channel
STMicroelectronics Transistores Darlington NPN Power Darlington
Hoja de datos
5,418En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington NPN Power Darlington
Hoja de datos
9,559En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
Hoja de datos
16,441En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
Hoja de datos
6,274En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
Hoja de datos
2,921En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-247-3 NPN

STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) PNP Gen Pur Power
Hoja de datos
2,356En existencias
4,200En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-247-3 PNP
STMicroelectronics Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Gen Pur Power
Hoja de datos
7,486En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-220-3 NPN
STMicroelectronics Transistores Darlington 1.5 Amp Quad Switch
Hoja de datos
1,874En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors Through Hole PDIP-16 NPN