Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Configuración Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente Voltaje de corte puerta-fuente Corriente de la fuente de drenaje en VGS = 0 Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Dp - Disipación de potencia Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Serie Empaquetado
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 242En existencias
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Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Drift, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 290En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 60 V 60 V - 3.5 V 5 mA 500 uA 400 mW - 55 C + 150 C LS844 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET 1,219En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET 546En existencias
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Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET 161En existencias
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Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET 46En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 20 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 72En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 11.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 485En existencias
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Si Through Hole TO-71-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 86En existencias
300Se espera el 24/02/2026
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5.5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 76En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 85En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Low Capacitance, Monolithic Dual, N-Channel JFET 121En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual 60 V - 60 V 8 mV 5 mA 2 mA 500 mW - 55 C + 150 C LSK489 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier 152En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET 93En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise & Capacitance, High Input Impedance, N-Channel JFET 177En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 40 V - 40 V - 2 V 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK170 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET 137En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 12 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 100En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 78En existencias
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Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-6 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) High Gain, Single N-Channel JFET Amplifier 75En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 30 V 2.5 V 3 mA 350 mW - 55 C + 150 C LSBF510 NPoS Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 62En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET 43En existencias
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Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Wideband, High Gain, Monolithic Dual, N- Channel JFET 32En existencias
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Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual - 25 V - 25 V - 5 V 40 mA 5 mA 500 mW - 55 C + 150 C LS5911 Cut Tape
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Ultra Low Noise, Low Drift, Single N-Channel JFET 229En existencias
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Si Through Hole TO-92-3 N-Channel Single 60 V - 60 V - 3.5 V 5 mA 2 mA 300 mW - 55 C + 150 C LSK189 Bulk
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET 25En existencias
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SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 30 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube
Linear Integrated Systems Transistor de unión de efecto de campo (JFET) Low Noise, Monolithic Dual, N-Channel JFET 1,883En existencias
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SMD/SMT SOIC-8 N-Channel Dual 40 V - 40 V 6 mV 6.5 mA 2 mA 400 mW - 55 C + 150 C LSK389 Tube