MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs

Microchip Technology MSC017SMA120x Silicon Carbide N-Ch Power MOSFETs increase the performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering the total cost in high-voltage applications. The Microchip MSC017SMA120x SiC MOSFETs provide high efficiency to enable a lighter, more compact system with improved thermal capabilities and lower switching losses.

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Empaquetado
Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
Hoja de datos
160En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 357 W Tube
Microchip Technology Módulos MOSFET MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
Hoja de datos
100En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 88 A 17.6 mOhms - 10 V, + 23 V 2.7 V - 55 C + 175 C 278 W Tube