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Vishay MOSFETs de SiC

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Resultados: 18

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Fabricante = Vishay

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Paquete / Cubierta

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Dp - Disipación de potencia

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2,313En existencias

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$9.28

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$7.50

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Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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800Se espera el 25/06/2026

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Vishay Semiconductors
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Nuevo producto

Vishay Semiconductors

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MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A045SW-GE3
Vishay Semiconductors
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Nuevo producto

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Vishay Semiconductors

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Vishay Semiconductors
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Vishay Semiconductors

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Vishay Semiconductors
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MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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Vishay Semiconductors

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Nuevo producto

Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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52 A

56 mOhms

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2.8 V

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Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MXPQ120A063SL-GE3

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Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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600Se espera el 17/09/2026

$10.53

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1.2 kV

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MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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Vishay Semiconductors
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Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MXPQ120A080SL-GE3

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Nuevo producto

Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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600Se espera el 17/09/2026

$9.60

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1.2 kV

39 A

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Vishay Semiconductors
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Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
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Vishay Semiconductors

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Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas

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MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

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Vishay Semiconductors
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Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MXP120A045FL-GE3

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Nuevo producto

Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas

$21.78

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$16.06

$14.48

Min.: 1
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Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

49 A

56 mOhms

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2.38 V

75.6 nC

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227 W

Enhancement

MaxSIC

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A045FW-GE3
Vishay Semiconductors
1: $21.14
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MXP120A045FW-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-MXP120A045FW

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas

$21.14

$18.03

$15.59

$14.06

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

49 A

56 mOhms

- 10 V, + 22 V

2.38 V

75.6 nC

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227 W

Enhancement

MaxSIC

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A080FE-T1GE3
Vishay Semiconductors
1: $9.90
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MXP120A080FE-T1GE3

N.º de artículo de Mouser
78-MXP120A080FET1GE3

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas

$9.90

$7.75

$6.46

$5.21

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-7

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1 Channel

1.2 kV

30 A

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- 10 V, 22 V

2.69 V

47.3 nC

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+ 150 C

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Enhancement

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A250FL-GE3
Vishay Semiconductors
1: $8.50
Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MXP120A250FL-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-MXP120A250FL

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 57 Semanas

$8.50

$6.19

$5.16

$4.23

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

10.5 A

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3.1 V

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MaxSIC

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

MXP120A250FW-GE3
Vishay Semiconductors
1: $7.30
No en existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
MXP120A250FW-GE3

N.º de artículo de Mouser
78-MXP120A250FW

Nuevo producto

Vishay Semiconductors

MOSFETs de SiC 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET

Hoja de datos

No en existencias

$7.30

$5.16

$4.30

$3.54

$3.53

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

10.5 A

313 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

20.3 nC

- 55 C

+ 150 C

56 W

Enhancement

MaxSIC

Vishay MOSFETs de SiC

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