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µModule Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)

Resultados: 24

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Fabricante

Tipo de transistor

Tecnología

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Polaridad del transistor

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Vds - Tensión disruptiva entre puerta y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

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