Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs offer a variety of gate drive voltages required for many different types of mobile devices. They are available in single, dual, N-channel, P-channel and various voltage versions, providing a wide variety of options for designers. Each MOSFET addresses the need to support high-current charging with low voltage and low R_DS(on) requirements. The compact packages and and low voltage operation make Toshiba U-MOSVI Small Signal MOSFETs an ideal solution for high-density packaging requirements in smart phones and game consoles.

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Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

SSM6J424TU,LF
Toshiba
1: $0.81
8,932En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM6J424TU,LF

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757-SSM6J424TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small Signal MOSFET P-ch VDSS=-20V, VGSS=+6/-8V, ID=-6.0A, RDS(ON)=0.0225Ohm @ 4.5V, in UF6 package

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$0.81

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UF-6

P-Channel

1 Channel

20 V

6 A

22.5 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

23.1 nC

- 55 C

+ 150 C

1 W

Enhancement

AEC-Q101

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V

SSM3J352F,LF
Toshiba
1: $0.45
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J352F,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J352FLF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V

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$0.45

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$0.173

$0.129

Envase tipo carrete

$0.096

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

S-Mini-3

P-Channel

1 Channel

20 V

2 A

90 mOhms

- 12 V, 12 V

1.2 V

5.1 nC

- 55 C

+ 150 C

600 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

SSM3J56ACT,L3F
Toshiba
1: $0.47
18,857En pedido

N.º de artículo del Fabricante
SSM3J56ACT,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J56ACTL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nch MOSFET

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$0.47

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$0.181

$0.135

Envase tipo carrete

$0.09

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

SMD/SMT

CST3-3

P-Channel

1 Channel

20 V

1.4 A

4 Ohms

- 8 V, 8 V

1 V

1.6 nC

- 55 C

+ 150 C

500 mW

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

SSM3K35CTC,L3F
Toshiba
1: $0.30
30,000Se espera el 16/10/2026

N.º de artículo del Fabricante
SSM3K35CTC,L3F

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3K35CTCL3F

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Small-Signal MOSFET

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30,000Se espera el 16/10/2026

Cinta cortada

$0.30

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$0.085

Envase tipo carrete

$0.048

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

N-Channel

1 Channel

U-MOSIII

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

TJ15S10M3,LQ
Toshiba
1: $1.88
1,991Se espera el 25/01/2027

N.º de artículo del Fabricante
TJ15S10M3,LQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ15S10M3LQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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1,991Se espera el 25/01/2027

$1.88

$1.18

$0.779

$0.618

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

100 V

15 A

130 mOhms

- 20 V, 10 V

4 V

69 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
Toshiba
1: $1.93
2,000Se espera el 11/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

N.º de artículo de Mouser
757-TJ8S06M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104

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Cinta cortada

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$0.92

$0.822

$0.65

$0.629

Envase tipo carrete

$0.526

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

60 V

8 A

104 mOhms

- 20 V, 10 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

27 W

Enhancement

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W

TPC8125,LQ(S
Toshiba
1: $1.23
4,926Se espera el 18/12/2026

N.º de artículo del Fabricante
TPC8125,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8125LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch -30V FET 2580pF -10A 1.9W

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4,926Se espera el 18/12/2026

Cinta cortada

$1.23

$0.761

$0.50

$0.393

Envase tipo carrete

$0.304

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

30 V

10 A

17 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

64 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A

SSM3J144TU,LF
Toshiba
1: $0.65
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N.º de artículo del Fabricante
SSM3J144TU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM3J144TULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X34 Small Signal MOSFET P-ch Vdss:-20V Vgss:-8/+6V Id:-3.2A

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$0.29

$0.254

$0.192

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$0.137

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UFM-3

P-Channel

1 Channel

20 V

3.2 A

93 mOhms

- 8 V, 6 V

1 V

4.7 nC

+ 150 C

1 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

SSM6P47NU,LF
Toshiba
1: $0.80
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SSM6P47NU,LF

N.º de artículo de Mouser
757-SSM6P47NULF

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 8V GS

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$0.364

$0.32

$0.243

Envase tipo carrete

$0.176

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Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

SMD/SMT

UDFN-6

P-Channel

2 Channel

20 V

4 A

242 mOhms

- 8 V, 8 V

1 W

U-MOSVI

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Toshiba
1: $1.93
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N.º de artículo del Fabricante
TJ80S04M3L(T6L1,NQ

N.º de artículo de Mouser
757-TJ80S04M3LT6L1NQ

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052

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$0.92

$0.822

$0.65

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$0.539

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Mult.: 1

: 2,000

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

P-Channel

1 Channel

40 V

80 A

5.2 mOhms

100 W

AEC-Q100

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC

TPC8134,LQ(S
Toshiba
1: $1.07
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N.º de artículo del Fabricante
TPC8134,LQ(S

N.º de artículo de Mouser
757-TPC8134LQS

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch -40V FET 1650pF -5A 1.9W 20nC

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$1.07

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$0.479

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Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

SOP-8

P-Channel

1 Channel

40 V

5 A

66 mOhms

- 25 V, 20 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

1.9 W

Enhancement

U-MOSVI

Reel, Cut Tape, MouseReel

U-MOSVI Small Signal MOSFETs

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

CST3-3
DPAK-3 (TO-252-3)
ES6-6
PS-8
S-Mini-3
SOP-8
SOT-23-3
SOT-23F-3
SOT-346-3
SOT-363-6
SOT-416-3
SOT-563-6
SOT-723-3
TSON-8
TSOP-6
UDFN-6
UDFN6B-6
UF-6
UFM-3
VESM-3

100 mA
400 mA
800 mA
1.4 A
2 A
2.6 A
3 A
3.2 A
3.4 A
3.5 A
3.6 A
3.9 A
4 A
4.4 A
4.8 A
5 A
5.4 A
5.5 A
6 A
7 A

1.7 mOhms
4.3 mOhms
4.7 mOhms
5.2 mOhms
6.3 mOhms
7.8 mOhms
9.1 mOhms
11.2 mOhms
13.8 mOhms
14 mOhms
15.3 mOhms
17 mOhms
18 mOhms
20 mOhms
21.8 mOhms
22.2 mOhms
22.5 mOhms
24.9 mOhms
25 mOhms
25.8 mOhms

1 nC
1.6 nC
2.7 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.6 nC, 6.74 nC
4.6 nC
4.7 nC
5.1 nC
5.9 nC
6.74 nC
7.9 nC
8.2 nC
8.3 nC
9.8 nC
10.4 nC
12.7 nC
12.8 nC
13.6 nC

150 mW
200 mW
500 mW
600 mW
700 mW
800 mW
1 W
1.2 W
1.9 W
2 W
2.01 W
2.5 W
3 W
5 W
27 W
29 W
30 W
41 W
42 W
68 W