MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO247-4
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650 V
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- 25 V, + 25 V
4 V
43 nC
- 55 C
+ 175 C
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650 V
31 A
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6 V
51 nC
- 55 C
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4 V
51 nC
- 55 C
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1 Channel
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+ 175 C
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TO-247-3
1 Channel
650 V
54 A
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- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
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TO-247-4
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- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
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D2PAK-7
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- 25 V, + 25 V
4.4 V
25.7 nC
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+ 175 C
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TO-247-4
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31 A
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- 25 V, + 25 V
4 V
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- 55 C
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190 W
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Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
33 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
254.2 W
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TO-220-3
1 Channel
650 V
31 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
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SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
1 Channel
650 V
25 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
115 W
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AEC-Q101
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800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
650 V
27 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
136.4 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO263-7
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800 Se espera el 23/11/2026
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676 En existencias
800 Se espera el 23/11/2026
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800
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
5.9 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
22.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
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36 En existencias
1,600 En pedido
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MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
36 En existencias
1,600 En pedido
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36 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
800 Se espera el 16/10/2026
800 Se espera el 21/12/2026
Plazo de entrega de fábrica:
22 Semanas
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Carrete :
800
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.7 kV
7.6 A
410 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23.1 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO263-7
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615 En existencias
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615 En existencias
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Min.: 1
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Carrete :
800
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SMD/SMT
D2PAK-7
1 Channel
1.2 kV
28.8 A
85 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
190 W
Enhancement
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
UF3C120080K4S
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639 En existencias
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MOSFETs de SiC 1200V/80MOSICFETG3TO247-4
639 En existencias
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Máx.: 600
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
33 A
100 mOhms
- 25 V, + 25 V
6 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
254.2 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
UF3C170400K3S
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477 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400K3S
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MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO247-3
477 En existencias
600 Se espera el 16/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 600
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.7 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
UF3C120150K4S
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$13.96
64 En existencias
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120150K4S
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MOSFETs de SiC 1200V/150MOSICFETG3TO247-4
64 En existencias
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Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
1.2 kV
18.4 A
330 mOhms
- 25 V, + 25 V
3.5 V
25.7 nC
- 55 C
+ 175 C
166.7 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
UF3C065030K4S
onsemi
1:
$27.08
1,200 Se espera el 19/02/2027
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K4S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-4
1,200 Se espera el 19/02/2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-4
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
UF3C065040T3S
onsemi
1:
$19.55
1,000 Se espera el 21/12/2026
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065040T3S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/40MOSICFETG3TO220-3
1,000 Se espera el 21/12/2026
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-220-3
1 Channel
650 V
54 A
52 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
326 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
UF3C120400K3S
onsemi
1:
$11.05
300 Se espera el 8/03/2027
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C120400K3S
onsemi
MOSFETs de SiC 1200V/400MOSICFETG3TO247-3
300 Se espera el 8/03/2027
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
1.2 kV
7.6 A
1.07 Ohms
- 25 V, + 25 V
6 V
27.5 nC
- 55 C
+ 175 C
100 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
UF3C065030K3S
onsemi
1:
$27.01
Plazo de entrega 32 Semanas
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030K3S
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO247-3
Plazo de entrega 32 Semanas
Comprar
Min.: 1
Mult.: 1
Detalles
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
85 A
35 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 55 C
+ 175 C
441 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
UF3C065030B3
onsemi
1:
$25.27
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser
431-UF3C065030B3
Fin de vida útil
onsemi
MOSFETs de SiC 650V/30MOSICFETG3TO263-3
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
Carrete :
800
Detalles
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
1 Channel
650 V
65 A
27 mOhms
- 25 V, + 25 V
4 V
51 nC
- 25 C
+ 175 C
242 W
Enhancement
AEC-Q101
SiC FET