Resultados: 11
Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Paquete / Cubierta Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 740En existencias
2,000En pedido
Cinta cortada
$36.41
$27.08
$27.07
$25.85
Envase tipo carrete
$25.65
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 189 A 7.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 195 nC - 55 C + 175 C 800 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 143En existencias
2,000En pedido
Cinta cortada
$27.27
$19.05
$18.55
$17.57
Envase tipo carrete
$16.63
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 144 A 12.2 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 294En existencias
Cinta cortada
$16.33
$9.78
$9.77
Envase tipo carrete
$9.25
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 87 A 21.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 1,609En existencias
Cinta cortada
$13.18
$8.01
$7.89
Envase tipo carrete
$7.58
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 75 A 25.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 60 nC - 55 C + 175 C 335 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 561En existencias
Cinta cortada
$9.57
$5.28
$4.86
$4.82
Envase tipo carrete
$4.31
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 52.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 844En existencias
2,000En pedido
Cinta cortada
$5.83
$3.06
$2.79
$2.52
Envase tipo carrete
$2.38
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 14.9 A 181.4 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 9.7 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 5,092En existencias
Cinta cortada
$5.27
$2.74
$2.49
$2.20
Envase tipo carrete
$2.19
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 8.1 A 233.9 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 7.9 nC - 55 C + 175 C 80 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 200En existencias
1,000Se espera el 10/12/2026
Cinta cortada
$11.29
$6.45
$5.80
Envase tipo carrete
$5.49
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 39.6 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 8.1 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package 46En existencias
2,000Se espera el 10/06/2027
Cinta cortada
$8.41
$4.54
$4.16
$4.02
Envase tipo carrete
$3.55
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 29 A 78.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 20.6 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000En pedido
Cinta cortada
$19.42
$12.22
$11.92
$11.63
Envase tipo carrete
$11.42
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 107 A 17.1 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 470 W Enhancement
Infineon Technologies MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
2,000Se espera el 18/02/2027
Cinta cortada
$6.83
$3.63
$3.33
$3.11
Envase tipo carrete
$2.94
Min.: 1
Mult.: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 21.2 A 115.7 mOhms - 7 V, + 20 V 5.1 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 123 W Enhancement