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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R008M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$36.41
-
740En existencias
-
2,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R008M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
740En existencias
2,000En pedido
Existencias:
740 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Pendiente
1,000 Se espera el 15/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
60 Semanas
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
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SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
189 A
|
7.7 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
195 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
800 W
|
Enhancement
|
|
|
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R012M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$27.27
-
143En existencias
-
2,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R012M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
143En existencias
2,000En pedido
Existencias:
143 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
1,000 Se espera el 15/10/2026
1,000 Se espera el 19/10/2026
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
144 A
|
12.2 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
124 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
600 W
|
Enhancement
|
|
|
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MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R022M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$16.33
-
294En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R022M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
294En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
87 A
|
21.6 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
71 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
385 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R026M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.18
-
1,609En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R026M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
1,609En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
75 A
|
25.4 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
60 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
335 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R053M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.57
-
561En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R053M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
561En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
41 A
|
52.6 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
30 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
205 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R181M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.83
-
844En existencias
-
2,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R181M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
844En existencias
2,000En pedido
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
14.9 A
|
181.4 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
9.7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R234M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.27
-
5,092En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R234M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
5,092En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
8.1 A
|
233.9 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
7.9 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
80 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.29
-
200En existencias
-
1,000Se espera el 10/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R040M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
200En existencias
1,000Se espera el 10/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
52 A
|
39.6 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
8.1 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
250 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R078M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.41
-
46En existencias
-
2,000Se espera el 10/06/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R078M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
46En existencias
2,000Se espera el 10/06/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
29 A
|
78.1 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
20.6 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
158 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R017M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$19.42
-
2,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R017M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
2,000En pedido
En pedido:
1,000 Se espera el 15/10/2026
1,000 Se espera el 7/09/2027
Plazo de entrega de fábrica:
53 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
107 A
|
17.1 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
89 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
470 W
|
Enhancement
|
|
|
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
- IMBG120R116M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.83
-
2,000Se espera el 18/02/2027
|
N.º de artículo de Mouser
726-IMBG120R116M2HXT
|
Infineon Technologies
|
MOSFETs de SiC CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package
|
|
2,000Se espera el 18/02/2027
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
21.2 A
|
115.7 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.1 V
|
14.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
123 W
|
Enhancement
|
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