Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

STMicroelectronics N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs are Zener-protected and 100% avalanche-tested. These power MOSFETs feature 800V minimum drain-source breakdown voltage, ±30V gate-source voltage, and -55°C to 150°C operating junction temperature range. The MDmesh K6 Power MOSFETs also feature 5V/ns peak diode recovery voltage slope, 100A/µs peak diode recovery current slope, and 120V/ns MOSFET dv/dt ruggedness. Typical applications include notebook and AIO, flyback converters, adapters for tablets, and LED lighting.

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Resultados: 12

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

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Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET STD80N340K6 STMicroelectronics 1: $4.61 2,338En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N340K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N340K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n240k6 mosfets	Hoja de datos	2,338En existencias	Cinta cortada $4.61 $2.37 $2.15 $1.84 Envase tipo carrete $1.72 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	12 A	340 mOhms	10 V	3 V	17.8 nC	- 55 C	+ 150 C	92 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package STD80N450K6 STMicroelectronics 1: $4.42 765En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N450K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N450K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 380 mOhm typ., 10 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm std80n450k6 power mosfet	Hoja de datos	765En existencias	Cinta cortada $4.42 $2.26 $2.05 $1.74 Envase tipo carrete $1.62 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT	DPAK-3 (TO-252-3)	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	450 mOhms	30 V	3 V	17.3 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package STD80N240K6 STMicroelectronics 1: $5.95 2,328En existencias	N.º de artículo del Fabricante STD80N240K6 N.º de artículo de Mouser 511-STD80N240K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a DPAK package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm std80n240k6 800v power mosfet	Hoja de datos	2,328En existencias	Cinta cortada $5.95 $3.12 $2.85 $2.59 $2.44 Envase tipo carrete $2.44 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,500	Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	800 V	16 A	220 Ohms	30 V	4 V	25.9 nC	- 55 C	+ 150 C	105 W	Enhancement		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET STF80N240K6 STMicroelectronics 1: $7.52 1,003En existencias	N.º de artículo del Fabricante STF80N240K6 N.º de artículo de Mouser 511-STF80N240K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	1,003En existencias	$7.52 $4.30 $3.62 $3.22 $2.89	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	16 A	220 mOhms	30 V	3.5 V	25.9 nC	- 55 C	+ 150 C	27 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET STF80N1K1K6 STMicroelectronics 1: $2.57 997En existencias Nuevo producto	N.º de artículo del Fabricante STF80N1K1K6 N.º de artículo de Mouser 511-STF80N1K1K6 Nuevo producto	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	997En existencias	$2.57 $1.26 $1.12 $0.903 Ver $0.852 $0.815 $0.784	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	5 A	1.1 Ohms	30 V	4 V	5.7 nC	- 55 C	+ 150 C	21 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET STP80N1K1K6 STMicroelectronics 1: $2.55 1,055En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP80N1K1K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N1K1K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n1k1k6 mosfet	Hoja de datos	1,055En existencias	$2.55 $1.25 $1.12 $0.895 Ver $0.85 $0.818 $0.774	Min.: 1 Mult.: 1	Si																Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET STP80N450K6 STMicroelectronics 1: $4.90 169En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP80N450K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N450K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n450k6 n channel power mosfet	Hoja de datos	169En existencias	$4.90 $2.54 $2.30 $1.90 Ver $1.82 $1.76 $1.74	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	450 mOhms							Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET STP80N600K6 STMicroelectronics 1: $3.35 698En existencias	N.º de artículo del Fabricante STP80N600K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N600K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stmicro stp80n600k6 mosfet	Hoja de datos	698En existencias	$3.35 $1.97 $1.51 $1.24 Ver $1.19 $1.12	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	600 mOhms	30 V	4 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	86 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET STF80N600K6 STMicroelectronics 1: $3.64 37En existencias 2,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante STF80N600K6 N.º de artículo de Mouser 511-STF80N600K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	37En existencias 2,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: STF80N600K6 Existencias: 37 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 1,000 Se espera el 29/01/2027 1,000 Se espera el 5/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 24 Semanas	$3.64 $2.38 $1.97 $1.65 Ver $1.53 $1.42 $1.35	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	7 A	600 mOhms	30 V	4 V	10.7 nC	- 55 C	+ 150 C	23 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package STP80N240K6 STMicroelectronics 1: $7.11 58En existencias 1,000Se espera el 23/04/2027	N.º de artículo del Fabricante STP80N240K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N240K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm stp80n240k6 mosfets	Hoja de datos	58En existencias 1,000Se espera el 23/04/2027	$7.11 $4.10 $3.12 $2.73	Min.: 1 Mult.: 1	Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	10 A	220 mOhms	30 V	4 V	25.9 nC	- 55 C	+ 150 C	140 W	Enhancement	MDmesh	Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package STP80N340K6 STMicroelectronics 1,000: $2.03 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STP80N340K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N340K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	$2.03 $1.96 $1.87	Min.: 1,000 Mult.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3		1 Channel	800 V	12 A	340 mOhms	30 V	3.5 V		- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement		Tube
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package STP80N900K6 STMicroelectronics 1,000: $0.911 Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	N.º de artículo del Fabricante STP80N900K6 N.º de artículo de Mouser 511-STP80N900K6	STMicroelectronics	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package Obtenga más información sobre STMicroelectronics stm n channel mdmesh k6 power mosfets	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas	$0.911 $0.906 $0.905	Min.: 1,000 Mult.: 1,000	Si	Through Hole	TO-220-3		1 Channel	800 V	6 A	900 mOhms	30 V	3.5 V	7 nC	- 55 C	+ 150 C	68 W	Enhancement		Tube

N-Channel MDmesh K6 Power MOSFETs

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