Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) – Mouser Guatemala

Saltar al contenido principal

Parte de la familia de especialistas de TTIContactar a Mouser (USA) +52 33 3612 7301Comentarios

Cambiar ubicación$ USD

+52 33 3612 7301 Cambiar ubicación

En existencia

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Resultados: 5

Filtros aplicados:

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Nombre comercial

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Seleccionar	Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	RoHS	Modelo ECAD	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Nombre comercial	Empaquetado
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg IRF2804PBF Infineon Technologies 1: $2.17 3,460En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRF2804PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRF2804PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg	Hoja de datos	3,460En existencias	$2.17 $1.29 $1.11 $0.926	Min.: 1 Mult.: 1 Máx.: 500			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	40 V	280 A	2 mOhms	20 V	2 V	160 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies 1: $0.94 7,685En existencias NRND	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6276TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6276TRPBF NRND	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET	Hoja de datos	7,685En existencias	Cinta cortada $0.94 $0.431 $0.381 $0.292 Envase tipo carrete $0.224 Ver $0.279 $0.194 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	20 V	4.5 A	45 mOhms	12 V	1.8 V	3.1 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable IRLTS6342TRPBF Infineon Technologies 1: $0.99 59,923En existencias	N.º de artículo del Fabricante IRLTS6342TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLTS6342TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 8.3A 17.5mOhm 2.5V drive capable	Hoja de datos	59,923En existencias	Cinta cortada $0.99 $0.653 $0.404 $0.263 Envase tipo carrete $0.176 Ver $0.208 $0.157 $0.147 $0.12 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	TSOP-6	N-Channel	1 Channel	30 V	8.3 A	17.5 mOhms	12 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 150 C	2 W	Enhancement	HEXFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC IRLHS6376TRPBF Infineon Technologies 1: $1.10 12,850En pedido	N.º de artículo del Fabricante IRLHS6376TRPBF N.º de artículo de Mouser 942-IRLHS6376TRPBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V 1 N-CH HEXFET 2.8nC	Hoja de datos	12,850En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IRLHS6376TRPBF Existencias: 0 En pedido: 850 Se espera el 24/06/2027 12,000 Se espera el 14/10/2027 Plazo de entrega de fábrica: 51 Semanas	Cinta cortada $1.10 $0.79 $0.491 $0.338 Ver Envase tipo carrete $0.221 $0.284 $0.255 $0.221 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 4,000			Si	SMD/SMT	PQFN 2x2 (DFN2020)	N-Channel	2 Channel	30 V	3.6 A	63 mOhms	12 V	1.8 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	1.5 W	Enhancement	StrongIRFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg IRFB4321PBF Infineon Technologies 1: $4.90 Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas	N.º de artículo del Fabricante IRFB4321PBF N.º de artículo de Mouser 942-IRFB4321PBF	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg	Hoja de datos	Plazo de entrega no en existencias 45 Semanas	$4.90 $2.57 $2.34 $1.93 $1.92	Min.: 1 Mult.: 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	150 V	83 A	12 mOhms	30 V	1.8 V	71 nC	- 55 C	+ 175 C	330 W	Enhancement		Tube