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P02SCT3040KR-EVK-001

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Mouser N.º:

755-P02SCT3040KREVK1

Fabricante N.º:

P02SCT3040KR-EVK-001

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Herramientas de desarrollo de administración de IC SiC MOSFET Eval Brd TO-247-4L H. Bridge

Ciclo de vida:

NRND:

No recomendado para nuevos diseños.

Hoja de datos:

P02SCT3040KR-EVK-001 Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Herramientas de desarrollo de administración de IC
RoHS:
Producto:	Evaluation Boards
Tipo:	Gate Driver
Voltaje de entrada:	12 V
La Herramienta es para la Evaluación de :	SCT3080KR
Marca:	ROHM Semiconductor
Empaquetado:	Bulk
Tipo de producto:	Power Management IC Development Tools
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Development Tools
Peso de la unidad:	1 kg

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Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8543709990
USHTS:: 9030820000
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board

ROHM P02SCT3040KR-EVK-001 Half-Bridge Evaluation Board is for the evaluation of the SCT3040KR, a 1200V 55A N-Channel SiC Power MOSFET. The evaluation board is based on the most common circuit configuration known as a half-bridge circuit. To obtain appropriate evaluation conditions with simple preparation, this board is equipped with an isolated power supply for the attached driver circuit. The board also includes an overcurrent protection circuit and a gate signal protection circuit.