|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R099CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.97
-
783En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R099CFD7AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
783En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
38 A
|
99 mOhms
|
20 V
|
3 V
|
127 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
278 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R050CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.26
-
1,114En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R050CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,114En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
45 A
|
50 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
102 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R115CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.84
-
786En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
786En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
21 A
|
115 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
41 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
114 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R099CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.02
-
771En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R099CFD7AA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
771En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7-11
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
24 A
|
183 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
53 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
127 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R075CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$8.22
-
815En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R075CFD7AA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
815En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7-11
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
32 A
|
139 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
171 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPWS65R050CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$11.52
-
151En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R050CFD7AX
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
151En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
45 A
|
50 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
102 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R035CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.95
-
180En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R035CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
180En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
63 A
|
35 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
145 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
305 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R050CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.77
-
438En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R050CFD7AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
438En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
45 A
|
50 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
102 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R075CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$9.23
-
1,029En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R075CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
1,029En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
32 A
|
75 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
68 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
171 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPB65R230CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.10
-
102En existencias
-
1,000Se espera el 19/10/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R230CFD7AAT
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
102En existencias
1,000Se espera el 19/10/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
230 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
23 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
63 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R115CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.32
-
493En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
493En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
21 A
|
115 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
41 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
114 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R230CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.44
-
464En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R230CFD7AA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
464En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7-11
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
11 A
|
439 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
23 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
63 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPP65R099CFD7AAKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.99
-
218En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R099CFD7AAK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
218En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
24 A
|
99 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
53 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
127 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPP65R115CFD7AAKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.45
-
263En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R115CFD7AAK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
263En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
21 A
|
115 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
41 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
114 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R099CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.87
-
60En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
60En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
24 A
|
99 mOhms
|
20 V
|
3.5 V
|
53 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
127 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPBE65R050CFD7AATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$10.63
-
3,004En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
3,004En pedido
En pedido:
4 Se espera el 11/02/2027
3,000 Se espera el 27/05/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
TO-263-7-11
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
45 A
|
92 mOhms
|
20 V
|
4 V
|
102 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPP65R050CFD7AAKSA1
- Infineon Technologies
-
500:
$4.75
-
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R050CFD7AAK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas
|
|
Min.: 500
Mult.: 500
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
45 A
|
50 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
102 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPW65R115CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$7.26
-
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
Plazo de entrega no en existencias 40 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
24 A
|
115 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
41 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
114 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPWS65R035CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
240:
$7.48
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 240
Mult.: 240
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
63 A
|
35 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
145 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
305 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
- IPWS65R075CFD7AXKSA1
- Infineon Technologies
-
240:
$4.54
-
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R075CFD7AX
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS
|
|
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas
|
|
Min.: 240
Mult.: 240
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
32 A
|
75 mOhms
|
20 V
|
4.5 V
|
68 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
171 W
|
Enhancement
|
AEC-Q101
|
CoolMOS
|
Tube
|
|