Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 9

Filtros aplicados:

Paquete / Cubierta

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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Imagen	N.° de pieza	Fabricante:	Descripción	Hoja de datos	Disponibilidad	Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.	Cantidad	Tecnología	Estilo de montaje	Paquete / Cubierta	Polaridad del transistor	Número de canales	Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente	Id - Corriente de drenaje continua	Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente	Vgs - Tensión entre puerta y fuente	Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente	Qg - Carga de puerta	Temperatura de trabajo mínima	Temperatura de trabajo máxima	Dp - Disipación de potencia	Modo canal	Calificación	Nombre comercial	Empaquetado
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IAUC100N04S6L020ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.76 8,262En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N04S6L020ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N04S6L020	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 20v 40v n channel auto mosfet	Hoja de datos	8,262En existencias	Cinta cortada $1.76 $0.835 $0.548 $0.464 Envase tipo carrete $0.464 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	40 V	100 A	2.26 mOhms	16 V	1.6 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	75 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) IPG20N04S418AATMA1 Infineon Technologies 1: $2.02 1,470En existencias 5,000Se espera el 3/06/2027	N.º de artículo del Fabricante IPG20N04S418AATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IPG20N04S418AATM	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon 20v 40v n channel auto mosfet	Hoja de datos	1,470En existencias 5,000Se espera el 3/06/2027	Cinta cortada $2.02 $1.25 $0.821 $0.645 Envase tipo carrete $0.435 Ver $0.552 $0.50 $0.424 $0.415	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	2 Channel	40 V	20 A	18 mOhms	20 V	3 V	8.7 nC	- 55 C	+ 175 C	26 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC100N08S5N031ATMA1 Infineon Technologies 1: $3.05 7,003En existencias 20,000Se espera el 19/11/2026	N.º de artículo del Fabricante IAUC100N08S5N031ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC100N08S5N031	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	7,003En existencias 20,000Se espera el 19/11/2026	Cinta cortada $3.05 $1.71 $1.32 $1.07 Ver Envase tipo carrete $0.914 $1.03 $1.01 $0.914 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	100 A	3.5 mOhms	20 V	2.2 V	76 nC	- 55 C	+ 175 C	167 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUC90N10S5N062ATMA1 Infineon Technologies 1: $2.75 8,613En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUC90N10S5N062ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC90N10S5N062A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	8,613En existencias	Cinta cortada $2.75 $1.40 $1.17 $0.985 Ver Envase tipo carrete $0.829 $0.937 $0.862 $0.829 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8	N-Channel	1 Channel	100 V	90 A	6.2 mOhms	20 V	3 V	36 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement			Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies 1: $6.63 1,424En existencias 14,000En pedido	N.º de artículo del Fabricante IAUT300N10S5N015ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUT300N10S5N015	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	1,424En existencias 14,000En pedido En las fechas de envío del pedido Fabricante N.º: IAUT300N10S5N015ATMA1 Existencias: 1,424 Se puede enviar inmediatamente En pedido: 2,000 Se espera el 28/01/2027 12,000 Se espera el 18/02/2027 Plazo de entrega de fábrica: 26 Semanas	Cinta cortada $6.63 $3.50 $3.20 $2.93 $2.66 Envase tipo carrete $2.61 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 2,000	Si	SMD/SMT	HSOF-8	N-Channel	1 Channel	100 V	300 A	1.5 mOhms	20 V	2.2 V	166 nC	- 55 C	+ 175 C	375 W	Enhancement	AEC-Q101		Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUZ20N08S5L300ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.32 7,915En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUZ20N08S5L300ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUZ20N08S5L300A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	7,915En existencias	Cinta cortada $1.32 $0.616 $0.546 $0.425 Envase tipo carrete $0.316 Ver $0.416 $0.395 $0.311	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TSDSON-8	N-Channel	1 Channel	80 V	20 A	30 mOhms	20 V	2 V	8.1 nC	- 55 C	+ 175 C	30 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS300N08S5N014TATMA1 Infineon Technologies 1: $6.63 3,237En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS300N08S5N014TATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-US300N08S5N014T1	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	3,237En existencias	Cinta cortada $6.63 $3.52 $3.22 $2.99 $2.83 Envase tipo carrete $2.83	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	300 A	1.4 mOhms	20 V	3.8 V	144 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement			Reel, Cut Tape
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) IAUC41N06S5L100ATMA1 Infineon Technologies 1: $1.50 392En existencias 20,000Se espera el 2/09/2027	N.º de artículo del Fabricante IAUC41N06S5L100ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUC41N06S5L100A	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V) Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5	Hoja de datos	392En existencias 20,000Se espera el 2/09/2027	Cinta cortada $1.50 $0.703 $0.625 $0.489 Ver Envase tipo carrete $0.367 $0.486 $0.463 $0.367 MouseReel Disponible	Min.: 1 Mult.: 1 : 5,000	Si	SMD/SMT	TDSON-8-3	N-Channel	1 Channel	60 V	41 A	10 mOhms	16 V	1.7 V	12.7 nC	- 55 C	+ 175 C	42 W	Enhancement	AEC-Q101	OptiMOS	Reel, Cut Tape, MouseReel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies 1: $4.81 766En existencias	N.º de artículo del Fabricante IAUS200N08S5N023ATMA1 N.º de artículo de Mouser 726-IAUS200N08S5N023	Infineon Technologies	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V( Obtenga más información sobre Infineon Technologies infineon optimos 5 75v to 100v mosfets	Hoja de datos	766En existencias	Cinta cortada $4.81 $2.48 $2.25 $2.10 $1.83 Envase tipo carrete $1.83	Min.: 1 Mult.: 1 : 1,800	Si	SMD/SMT	HSOG-8	N-Channel	1 Channel	80 V	200 A	3.7 mOhms	20 V	2.2 V	110 nC	- 55 C	+ 175 C	200 W	Enhancement		OptiMOS	Reel, Cut Tape

Filtros aplicados:

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