|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPB029N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.57
-
1,545En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB029N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
1,545En existencias
|
|
|
$3.57
|
|
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$1.78
|
|
|
$1.38
|
|
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$1.34
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$1.21
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|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
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|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPD028N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.94
-
1,774En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD028N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
1,774En existencias
|
|
|
$2.94
|
|
|
$1.78
|
|
|
$1.27
|
|
|
$1.07
|
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$0.959
|
|
|
Ver
|
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|
$0.994
|
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$0.894
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
- DN2625DK6-G
- Microchip Technology
-
1:
$3.15
-
20,602En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
689-DN2625DK6-G
|
Microchip Technology
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL DEPLETION MODE
|
|
20,602En existencias
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.76
|
|
|
$2.52
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
- IPD025N06N
- Infineon Technologies
-
1:
$3.10
-
13,292En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
|
|
13,292En existencias
|
|
|
$3.10
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.37
|
|
|
$1.12
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|
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$0.997
|
|
|
Ver
|
|
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$1.07
|
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$0.977
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPB013N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.83
-
809En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB013N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
809En existencias
|
|
|
$5.83
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.45
|
|
|
$2.32
|
|
|
$2.18
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
- IPD029N04NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.09
-
3,047En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD029N04NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V
|
|
3,047En existencias
|
|
|
$2.09
|
|
|
$1.25
|
|
|
$0.874
|
|
|
$0.716
|
|
|
$0.593
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.656
|
|
|
$0.58
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D
- PSMN029-100HLX
- Nexperia
-
1:
$2.97
-
3,550En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PSMN029-100HLX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN029-100HL/SOT1205/LFPAK56D
|
|
3,550En existencias
|
|
|
$2.97
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.24
|
|
|
$1.14
|
|
|
$1.05
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.03
|
|
|
$0.585
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPB015N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.94
-
2,097En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB015N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
2,097En existencias
|
|
|
$4.94
|
|
|
$2.88
|
|
|
$2.14
|
|
|
$2.00
|
|
|
$1.99
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.94
|
|
|
$1.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IPD380P06NMATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.57
-
30,989En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD380P06NMATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
30,989En existencias
|
|
|
$2.57
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.10
|
|
|
$0.914
|
|
|
$0.723
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.841
|
|
|
$0.688
|
|
|
$0.685
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPF012N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.05
-
782En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPF012N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
782En existencias
|
|
|
$6.05
|
|
|
$3.53
|
|
|
$2.75
|
|
|
$2.53
|
|
|
$2.36
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPD038N06NF2SATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.26
-
3,416En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD038N06NF2SATM
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
3,416En existencias
|
|
|
$2.26
|
|
|
$1.33
|
|
|
$0.939
|
|
|
$0.82
|
|
|
$0.75
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.794
|
|
|
$0.748
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
- IPB026N06N
- Infineon Technologies
-
1:
$4.57
-
1,033En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06N
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
|
|
1,033En existencias
|
|
|
$4.57
|
|
|
$3.00
|
|
|
$2.23
|
|
|
$1.89
|
|
|
$1.70
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.63
|
|
|
$1.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
- IPB026N06NATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$4.20
-
1,560En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB026N06NATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A D2PAK-2
|
|
1,560En existencias
|
|
|
$4.20
|
|
|
$2.79
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.72
|
|
|
$1.62
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPP019N06NF2SAKMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.69
-
8,709En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-P019N06NF2SAKMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
8,709En existencias
|
|
|
$2.69
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.949
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.916
|
|
|
$0.832
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A
- SIRA20BDP-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$2.82
-
5,903En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIRA20BDP-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PPAKSO8 N-CH 25V 82A
|
|
5,903En existencias
|
|
|
$2.82
|
|
|
$1.39
|
|
|
$1.25
|
|
|
$1.01
|
|
|
$0.968
|
|
|
$0.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
- IPT012N06NATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.44
-
1,067En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT012N06NATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 60V
|
|
1,067En existencias
|
|
|
$5.44
|
|
|
$3.45
|
|
|
$2.60
|
|
|
$2.31
|
|
|
$2.18
|
|
|
$1.88
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
- BSO220N03MDGXUMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.39
-
55,985En existencias
-
Fin de vida útil
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA
Fin de vida útil
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M
|
|
55,985En existencias
|
|
|
$1.39
|
|
|
$0.859
|
|
|
$0.565
|
|
|
$0.444
|
|
|
$0.344
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.39
|
|
|
$0.307
|
|
|
$0.295
|
|
|
$0.286
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K
- DMP68D1LV-7
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.28
-
2,879En existencias
-
3,000Se espera el 16/08/2027
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMP68D1LV-7
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BSS Family SOT563 T&R 3K
|
|
2,879En existencias
3,000Se espera el 16/08/2027
|
|
|
$0.28
|
|
|
$0.152
|
|
|
$0.141
|
|
|
$0.139
|
|
|
$0.123
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
- BSP149H6327XTSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.63
-
31,639En existencias
-
10,800Se espera el 18/08/2026
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSP149H6327XTSA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V 660mA SOT-223-3
|
|
31,639En existencias
10,800Se espera el 18/08/2026
|
|
|
$1.63
|
|
|
$0.891
|
|
|
$0.627
|
|
|
$0.512
|
|
|
$0.436
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.404
|
|
|
$0.378
|
|
|
$0.377
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
- IPB010N06N
- Infineon Technologies
-
1:
$7.92
-
2,369En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB010N06N
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 180A D2PAK-6
|
|
2,369En existencias
|
|
|
$7.92
|
|
|
$5.30
|
|
|
$4.26
|
|
|
$3.79
|
|
|
$3.39
|
|
|
Ver
|
|
|
$3.38
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK
- BUK9Y8R8-60ELX
- Nexperia
-
1:
$2.44
-
7,202En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK9Y8R8-60ELX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK9Y8R8-60EL/SOT669/LFPAK
|
|
7,202En existencias
|
|
|
$2.44
|
|
|
$1.55
|
|
|
$1.05
|
|
|
$0.845
|
|
|
$0.723
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.757
|
|
|
$0.652
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D
- PSMN013-60HLX
- Nexperia
-
1:
$2.41
-
1,449En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PSMN013-60HLX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN013-60HL/SOT1205/LFPAK56D
|
|
1,449En existencias
|
|
|
$2.41
|
|
|
$1.54
|
|
|
$1.20
|
|
|
$0.963
|
|
|
$0.596
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.681
|
|
|
$0.546
|
|
|
$0.528
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
- SPW47N65C3
- Infineon Technologies
-
1:
$12.79
-
260En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N65C3
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3
|
|
260En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D
- PSMN033-100HLX
- Nexperia
-
1:
$2.69
-
2,679En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-PSMN033-100HLX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN033-100HL/SOT1205/LFPAK56D
|
|
2,679En existencias
|
|
|
$2.69
|
|
|
$1.74
|
|
|
$1.21
|
|
|
$0.97
|
|
|
$0.686
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.55
|
|
|
$0.532
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
- IPD025N06NATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$3.28
-
7,149En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06NATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2
|
|
7,149En existencias
|
|
|
$3.28
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.26
|
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