|
|
Interfaz IC RS-422 Quad Diff Line Drvr
- ST26C31BDR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.18
-
19,289En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST26C31BDR
|
STMicroelectronics
|
Interfaz IC RS-422 Quad Diff Line Drvr
|
|
19,289En existencias
|
|
|
$1.18
|
|
|
$0.987
|
|
|
$0.927
|
|
|
$0.85
|
|
|
$0.639
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.807
|
|
|
$0.782
|
|
|
$0.75
|
|
|
$0.633
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Circuito integrado para interfaz RS-422/RS-485 3.3 V powered 15 kV ESD protected
- ST4485EBDR
- STMicroelectronics
-
1:
$2.11
-
3,296En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-ST4485EBDR
|
STMicroelectronics
|
Circuito integrado para interfaz RS-422/RS-485 3.3 V powered 15 kV ESD protected
|
|
3,296En existencias
|
|
|
$2.11
|
|
|
$1.56
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.27
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.03
|
|
|
$1.20
|
|
|
$1.15
|
|
|
$1.11
|
|
|
$1.03
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Amplificadores de audio 65-Volt 7.5-amp QUAD Half-Bridge AMP
- STA516B13TR
- STMicroelectronics
-
1:
$11.44
-
718En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STA516B13TR
|
STMicroelectronics
|
Amplificadores de audio 65-Volt 7.5-amp QUAD Half-Bridge AMP
|
|
718En existencias
|
|
|
$11.44
|
|
|
$9.05
|
|
|
$8.33
|
|
|
$7.75
|
|
|
Ver
|
|
|
$6.79
|
|
|
$7.42
|
|
|
$6.79
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
|
|
|
Amplificadores de audio 7.5 A 65 V 200 mOhm Half Bridge
- STA516BETR
- STMicroelectronics
-
1:
$7.06
-
616En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STA516BETR
|
STMicroelectronics
|
Amplificadores de audio 7.5 A 65 V 200 mOhm Half Bridge
|
|
616En existencias
|
|
|
$7.06
|
|
|
$5.41
|
|
|
$5.00
|
|
|
$4.55
|
|
|
$4.33
|
|
|
$4.08
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
600
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
- STB14NK50ZT4
- STMicroelectronics
-
1:
$5.60
-
5,982En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB14NK50Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH
|
|
5,982En existencias
|
|
|
$5.60
|
|
|
$2.55
|
|
|
$2.07
|
|
|
$1.99
|
|
|
$1.98
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.93
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB16N90K5
- STMicroelectronics
-
1:
$6.98
-
1,266En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB16N90K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
1,266En existencias
|
|
|
$6.98
|
|
|
$3.94
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.77
|
|
|
$2.64
|
|
|
$2.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
- STB20NM50T4
- STMicroelectronics
-
1:
$6.58
-
957En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp
|
|
957En existencias
|
|
|
$6.58
|
|
|
$4.41
|
|
|
$3.19
|
|
|
$3.13
|
|
|
$2.49
|
|
|
$2.41
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
- STB45N50DM2AG
- STMicroelectronics
-
1:
$6.16
-
1,419En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STB45N50DM2AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ., 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET in
|
|
1,419En existencias
|
|
|
$6.16
|
|
|
$4.65
|
|
|
$3.80
|
|
|
$3.70
|
|
|
$3.16
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Circuitos de supervisión Protection Device Thermal Shutdown
- STBP120AVDK6F
- STMicroelectronics
-
1:
$0.93
-
8,597En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STBP120AVDK6F
|
STMicroelectronics
|
Circuitos de supervisión Protection Device Thermal Shutdown
|
|
8,597En existencias
|
|
|
$0.93
|
|
|
$0.927
|
|
|
$0.92
|
|
|
$0.89
|
|
|
$0.89
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Administración de baterías Battery Monitor IC 32-Ram 12/14 ADC 8B
- STC3100IST
- STMicroelectronics
-
1:
$3.19
-
7,837En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STC3100IST
|
STMicroelectronics
|
Administración de baterías Battery Monitor IC 32-Ram 12/14 ADC 8B
|
|
7,837En existencias
|
|
|
$3.19
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.14
|
|
|
$1.97
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.87
|
|
|
$1.83
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.60
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
- STD12N60DM6
- STMicroelectronics
-
1:
$2.95
-
2,358En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD12N60DM6
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
|
|
2,358En existencias
|
|
|
$2.95
|
|
|
$1.91
|
|
|
$1.31
|
|
|
$1.07
|
|
|
$0.874
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.986
|
|
|
$0.804
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Low voltage fast-switching NPN power transistor
- STD1802T4
- STMicroelectronics
-
1:
$1.19
-
23,618En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD1802T4
|
STMicroelectronics
|
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Low voltage fast-switching NPN power transistor
|
|
23,618En existencias
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.396
|
|
|
$0.338
|
|
|
$0.296
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.318
|
|
|
$0.237
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
- STD1NK60-1
- STMicroelectronics
-
1:
$1.75
-
3,810En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD1NK60-1
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 1.0 A
|
|
3,810En existencias
|
|
|
$1.75
|
|
|
$0.671
|
|
|
$0.627
|
|
|
$0.573
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.499
|
|
|
$0.426
|
|
|
$0.422
|
|
|
$0.415
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
- STD2LN60K3
- STMicroelectronics
-
1:
$1.47
-
8,786En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2LN60K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET
|
|
8,786En existencias
|
|
|
$1.47
|
|
|
$0.845
|
|
|
$0.593
|
|
|
$0.482
|
|
|
$0.346
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.442
|
|
|
$0.344
|
|
|
$0.325
|
|
|
$0.318
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
- STD2N62K3
- STMicroelectronics
-
1:
$2.24
-
2,749En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD2N62K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH 3
|
|
2,749En existencias
|
|
|
$2.24
|
|
|
$1.43
|
|
|
$0.969
|
|
|
$0.771
|
|
|
$0.668
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.708
|
|
|
$0.57
|
|
|
$0.554
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
- STD47N10F7AG
- STMicroelectronics
-
1:
$2.60
-
18,121En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STD47N10F7AG
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 100 V, 0.0125 Ohm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET
|
|
18,121En existencias
|
|
|
$2.60
|
|
|
$1.68
|
|
|
$1.15
|
|
|
$0.914
|
|
|
$0.827
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.841
|
|
|
$0.795
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Electronic fuse for 12 V line
- STEF12SAGR
- STMicroelectronics
-
1:
$1.00
-
3,576En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STEF12SAGR
|
STMicroelectronics
|
Gestión de energía especializada - circuitos integrados de gestión de potencia (PMIC) Electronic fuse for 12 V line
|
|
3,576En existencias
|
|
|
$1.00
|
|
|
$0.717
|
|
|
$0.633
|
|
|
$0.568
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.457
|
|
|
$0.531
|
|
|
$0.509
|
|
|
$0.492
|
|
|
$0.457
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Tableros y Juegos de Desarrollo - Inalámbrico Multiconnectivity asset tracking reference design based on STM32WB5MMG and STM32
- STEVAL-ASTRA1B
- STMicroelectronics
-
1:
$146.97
-
10En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STEVAL-ASTRA1B
|
STMicroelectronics
|
Tableros y Juegos de Desarrollo - Inalámbrico Multiconnectivity asset tracking reference design based on STM32WB5MMG and STM32
|
|
10En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
- STF13N95K3
- STMicroelectronics
-
1:
$8.08
-
956En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3
|
|
956En existencias
|
|
|
$8.08
|
|
|
$4.30
|
|
|
$4.01
|
|
|
$3.38
|
|
|
$3.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
- STF13NM60N
- STMicroelectronics
-
1:
$5.70
-
662En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF13NM60N
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 11A MDMESH Power MDmesh
|
|
662En existencias
|
|
|
$5.70
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.38
|
|
|
$2.14
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.10
|
|
|
$1.99
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
- STF21N65M5
- STMicroelectronics
-
1:
$5.90
-
909En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF21N65M5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
|
|
909En existencias
|
|
|
$5.90
|
|
|
$3.15
|
|
|
$2.84
|
|
|
$2.50
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.23
|
|
|
$2.13
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
- STF7N105K5
- STMicroelectronics
-
1:
$3.98
-
1,439En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF7N105K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package
|
|
1,439En existencias
|
|
|
$3.98
|
|
|
$1.93
|
|
|
$1.75
|
|
|
$1.52
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.32
|
|
|
$1.26
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
- STF8NK100Z
- STMicroelectronics
-
1:
$6.09
-
1,458En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STF8NK100Z
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 1000 V 1.6 Ohm Zener SuperMESH 6.5A
|
|
1,458En existencias
|
|
|
$6.09
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.93
|
|
|
$2.44
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.27
|
|
|
$2.17
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
- STFU13N80K5
- STMicroelectronics
-
1:
$4.79
-
1,691En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STFU13N80K5
|
STMicroelectronics
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP ultra na
|
|
1,691En existencias
|
|
|
$4.79
|
|
|
$3.14
|
|
|
$2.30
|
|
|
$1.90
|
|
|
Ver
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.65
|
|
|
$1.63
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A dual gate driver
- STGAP2HDMTR
- STMicroelectronics
-
1:
$8.14
-
1,673En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
511-STGAP2HDMTR
|
STMicroelectronics
|
Controladores de puerta con aislamiento galvánico Galvanically isolated 4 A dual gate driver
|
|
1,673En existencias
|
|
|
$8.14
|
|
|
$6.30
|
|
|
$5.84
|
|
|
$5.33
|
|
|
$4.80
|
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