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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS

IXYS IGBTs 75Amps 1200V 240En existencias
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IXYS IGBTs 30 Amps 600V 498En existencias
1,740Se espera el 16/02/2027
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IXYS IGBTs HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 100A 126En existencias
300Se espera el 3/09/2026
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IXYS IGBTs 48 Amps 600V 236En existencias
60Se espera el 7/10/2026
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IXYS IGBTs 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds 292En existencias
30Se espera el 9/09/2026
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IXYS IGBTs TO268 1700V 75A IGBT 510En existencias
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: 400

IXYS IGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds 131En existencias
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IXYS SCR SCR TO247 1.5KV 207En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET 2,298En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.6 Amps 1200V 32 Rds 2,388En existencias
200Se espera el 31/08/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA06N120P TRL 701En existencias
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds 1,070En existencias
1,900Se espera el 4/01/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 10A P-CH POLAR 2,443En existencias
2,400Se espera el 28/12/2026
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA120P065T TRL
800Se espera el 15/04/2027
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds 624En existencias
750Se espera el 15/04/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 500V 15A N-CH LINEAR 244En existencias
400Se espera el 4/01/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 180 Amps 100V 6.1 Rds 1,498En existencias
1,750En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds 1,016En existencias
1,200Se espera el 9/03/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CH 300V 36A 1,294En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A 698En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N120 TRL 633En existencias
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.2KV 3A N-CH HIVOLT 663En existencias
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 1.5KV 3A N-CH HIVOLT 223En existencias
300Se espera el 25/01/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IXTA3N150HV TRL 871En existencias
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds 1,248En existencias
2,250Se espera el 23/11/2026
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