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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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1,425En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
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879En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -76 Amps -100V 0.024 Rds
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1,155En existencias
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: 800

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N CHANNEL
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694En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
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2,362En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 1KV 10A N-CH DEPL
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275En existencias
300Se espera el 26/10/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
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467En existencias
300Se espera el 26/04/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) L2 Linear Power MOSFET
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533En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 110 Amps 250V
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587En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -11 Amps -500V 0.75 Rds
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747En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
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1,907En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
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523En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 200V 16A MOSFET
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502En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 500V 16A MOSFET
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861En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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453En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
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339En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 1A N-CH POLAR
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320En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 220A N-CH X4CLASS
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278En existencias
930Se espera el 3/09/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 24A N-CH X2CLASS
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584En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -24 Amps -200V 0.15 Rds
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285En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel MOSFET
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303En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 2A N-CH POLAR
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231En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
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295En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 2KV 3A N-CH HIVOLT
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190En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
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486En existencias
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