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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
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523En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -120 Amps -65V 0.01 Rds
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1,476En existencias
1,150Se espera el 28/10/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -140 Amps -50V 0.008 Rds
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433En existencias
1,700En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
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706En existencias
100Se espera el 20/01/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id180 BVdass100
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490En existencias
750Se espera el 11/11/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
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2,919En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
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917En existencias
1,000Se espera el 19/10/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET Id3 BVdass1200
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654En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A
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1,242En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -44 Amps -150V 0.065 Rds
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464En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
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525En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds
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2,820En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
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828En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
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412En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
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1,651En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
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292En existencias
300Se espera el 28/12/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds
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263En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -108.0 Amps -100V 0.013 Rds
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210En existencias
120Se espera el 23/12/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 4500V 200mA HV Power MOSFET
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435En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V High Voltage Power MOSFET
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310En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
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800En existencias
270Se espera el 9/11/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO268 3KV 1A N-CH POLAR
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62En existencias
300Se espera el 20/01/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 360Amps 55V
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303En existencias
300Se espera el 29/09/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V
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290En existencias
210Se espera el 23/02/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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196En existencias
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