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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS
IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds
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219En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 22.0 Amps 600 V 0.33 Ohm Rds
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34En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36 Amps 300V 0.11 Rds
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357En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PolarP2 Power MOSFET
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130En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 50 Amps 200V 0.06 Rds
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7En existencias
300Se espera el 10/02/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO3P 200V 60A N-CH TRENCH
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274En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 75 Amps 100V 0.025 Rds
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148En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 96 Amps 200V 0.024 Rds
Hoja de datos
127En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10 Amps -600V 1 Rds
Hoja de datos
5En existencias
300Se espera el 5/10/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -20.0 Amps -500V 0.450 Rds
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25En existencias
1,063En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds
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15En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -90.0 Amps -200V 0.044 Rds
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13En existencias
450En pedido
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 0.1 Amps 1000V 80 Rds
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300En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 8mAmps 1000V
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18En existencias
7,490Se espera el 2/02/2027
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 1.2KV 1.4A N-CH POLAR
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233En existencias
1,120Se espera el 21/09/2026
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: 70

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
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373En existencias
350Se espera el 26/10/2026
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TrenchP Power MOSFET
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382En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
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157En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 44 Amps 100V 25.0 Rds
Hoja de datos
740En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
Hoja de datos
27En existencias
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IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 N-CH 55V 90A
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190En existencias
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IXYS IGBTs TO247 600V 150A XPT
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26En existencias
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IXYS IGBTs TO247 600V 30A XPT
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146En existencias
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IXYS IGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT
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203En existencias
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IXYS IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBTs
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100En existencias
300Se espera el 4/01/2027
Min.: 1
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