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MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-247-4L
- SCT3040KRHRC15
- ROHM Semiconductor
-
1:
$25.03
-
565En existencias
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N.º de artículo de Mouser
755-SCT3040KRHRC15
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ROHM Semiconductor
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MOSFETs de SiC Transistor SiC MOSFET 1200V 40mO 3rd Gen TO-247-4L
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565En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
- SQS182ELNW-T1_GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$1.49
-
4,798En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-SQS182ELNW-T1_GE3
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
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4,798En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 1A SM TMBS
- V1F22-M3/H
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.52
-
22,655En existencias
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N.º de artículo de Mouser
78-V1F22-M3/H
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores y diodos Schottky RECT 200V 1A SM TMBS
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22,655En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
- VS-3C06ET07S2L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.65
-
1,265En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C06ET07S2L-M3
|
Vishay Semiconductors
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Diodos Schottky de SiC RECT 650V 6A SM POWER SIC
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1,265En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
:
800
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
- NTH4L040N120M3S
- onsemi
-
1:
$13.67
-
1,017En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTH4L040N120M3S
|
onsemi
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
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1,017En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
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MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
- UF3C170400B7S
- onsemi
-
1:
$11.64
-
685En existencias
-
800Se espera el 21/12/2026
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N.º de artículo de Mouser
431-UF3C170400B7S
|
onsemi
|
MOSFETs de SiC 1700V/400MOSICFETG3TO263-7
|
|
685En existencias
800Se espera el 21/12/2026
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
:
800
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Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
- IDWD25G200C5XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
$22.13
-
121En existencias
-
240Se espera el 12/11/2026
-
Nuevo en Mouser
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N.º de artículo de Mouser
726-IDWD25G200C5XKSA
Nuevo en Mouser
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Infineon Technologies
|
Rectificadores y diodos Schottky SIC DISCRETE
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121En existencias
240Se espera el 12/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
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Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
- JDV2S42FS,L3M
- Toshiba
-
1:
$1.78
-
5,193En existencias
-
Nuevo en Mouser
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N.º de artículo de Mouser
757-JDV2S42FSL3M
Nuevo en Mouser
|
Toshiba
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Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
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5,193En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
- SIR626LDP-T1-UE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.10
-
3,347En existencias
-
3,000Se espera el 26/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
78-SIR626LDP-T1-UE3
|
Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
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3,347En existencias
3,000Se espera el 26/11/2026
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 6,000
:
3,000
|
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
- NTHL023N065M3S
- onsemi
-
1:
$12.46
-
394En existencias
-
4,950Se espera el 25/06/2027
|
N.º de artículo de Mouser
863-NTHL023N065M3S
|
onsemi
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MOSFETs de SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
|
|
394En existencias
4,950Se espera el 25/06/2027
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|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 6.0 MOHM SOT23
- BSS123L
- onsemi
-
1:
$0.33
-
405,808En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BSS123L
N.º de artículo de Mouser
512-BSS123L
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onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 6.0 MOHM SOT23
|
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405,808En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
- FCPF099N65S3
- onsemi
-
1:
$7.97
-
11,052En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCPF099N65S3
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
|
|
11,052En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
- FCPF11N60
- onsemi
-
1:
$5.45
-
8,169En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCPF11N60
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
|
|
8,169En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
- FDH44N50
- onsemi
-
1:
$11.86
-
6,514En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
|
|
6,514En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
- FDPF12N60NZ
- onsemi
-
1:
$3.77
-
12,202En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDPF12N60NZ
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
|
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12,202En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET
- FQB5N90TM
- onsemi
-
1:
$4.78
-
11,157En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FQB5N90TM
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET
|
|
11,157En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
:
800
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
- NDT014
- onsemi
-
1:
$1.86
-
33,661En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
NDT014
N.º de artículo de Mouser
512-NDT014
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
|
|
33,661En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 4,000
:
4,000
|
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|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
- RFD3055LESM9A
- onsemi
-
1:
$1.52
-
83,300En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-RFD3055LESM9A
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
|
|
83,300En existencias
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|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
:
2,500
|
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Rectificadores 3A, 1200V Surface Mount Rectifier
- S3N
- onsemi
-
1:
$0.93
-
188,975En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
S3N
N.º de artículo de Mouser
512-S3N
|
onsemi
|
Rectificadores 3A, 1200V Surface Mount Rectifier
|
|
188,975En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
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|
Rectificadores y diodos Schottky VR=40V IF=350mA IR=12uA
- ZHCS350TA
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.90
-
172,248En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
522-ZHCS350TA
|
Diodes Incorporated
|
Rectificadores y diodos Schottky VR=40V IF=350mA IR=12uA
|
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172,248En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
- DMTH6004SK3-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.26
-
42,003En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SK3-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
42,003En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
:
2,500
|
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Rectificadores 1500 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
- DGP30-E3/54
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.43
-
9,567En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
625-DGP30-E3/54
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 1500 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
|
|
9,567En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,400
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
- BSC098N10NS5
- Infineon Technologies
-
1:
$2.47
-
20,099En existencias
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N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
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|
20,099En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
- IPB017N10N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.56
-
27,211En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
|
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27,211En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT020N10N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.24
-
10,935En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
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10,935En existencias
|
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
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