|
|
Diodos Schottky de SiC SIC-G3-SLIMDPAK 2L
- VS-3C08EV07T-M3/I
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.96
-
8,492En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C08EV07T-M3/I
|
Vishay Semiconductors
|
Diodos Schottky de SiC SIC-G3-SLIMDPAK 2L
|
|
8,492En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,500
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 16A SM POWER SIC
- VS-3C16ET07S2L-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$4.62
-
1,256En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C16ET07S2L-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 16A SM POWER SIC
|
|
1,256En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
- VS-3C20ET07T-M3
- Vishay Semiconductors
-
1:
$6.89
-
775En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-VS-3C20ET07T-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Diodos Schottky de SiC RECT 650V 20A RDL POWER SIC
|
|
775En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 6.0 MOHM SOT23
- BSS123L
- onsemi
-
1:
$0.33
-
405,808En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
BSS123L
N.º de artículo de Mouser
512-BSS123L
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FET 100V 6.0 MOHM SOT23
|
|
405,808En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
- FCPF099N65S3
- onsemi
-
1:
$7.97
-
11,108En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCPF099N65S3
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
|
|
11,108En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
- FCPF11N60
- onsemi
-
1:
$5.45
-
8,169En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCPF11N60
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
|
|
8,169En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
- FDH44N50
- onsemi
-
1:
$11.86
-
6,514En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
|
|
6,514En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 450
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
- FDPF12N60NZ
- onsemi
-
1:
$3.77
-
12,202En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDPF12N60NZ
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
|
|
12,202En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET
- FQB5N90TM
- onsemi
-
1:
$4.78
-
11,157En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FQB5N90TM
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 900V N-Channel QFET
|
|
11,157En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 800
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
- NDT014
- onsemi
-
1:
$1.86
-
34,131En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
NDT014
N.º de artículo de Mouser
512-NDT014
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
|
|
34,131En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
- RFD3055LESM9A
- onsemi
-
1:
$1.52
-
82,093En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-RFD3055LESM9A
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
|
|
82,093En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 2,500
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores 3A, 1200V Surface Mount Rectifier
- S3N
- onsemi
-
1:
$0.93
-
188,965En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
S3N
N.º de artículo de Mouser
512-S3N
|
onsemi
|
Rectificadores 3A, 1200V Surface Mount Rectifier
|
|
188,965En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky VR=40V IF=350mA IR=12uA
- ZHCS350TA
- Diodes Incorporated
-
1:
$0.90
-
167,829En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
522-ZHCS350TA
|
Diodes Incorporated
|
Rectificadores y diodos Schottky VR=40V IF=350mA IR=12uA
|
|
167,829En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 3,000
:
3,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
- DMTH6004SK3-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.26
-
41,748En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SK3-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
41,748En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 270
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores 1500 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
- DGP30-E3/54
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.43
-
9,567En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
625-DGP30-E3/54
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 1500 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
|
|
9,567En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,400
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
- BSC098N10NS5
- Infineon Technologies
-
1:
$2.47
-
20,099En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSC098N10NS5
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Pwr transistor 100V OptiMOS 5
|
|
20,099En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
- IPB017N10N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.56
-
27,211En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPB017N10N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 180A D2PAK-2
|
|
27,211En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT020N10N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$6.24
-
10,935En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
10,935En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
- IPT60R022S7XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$13.34
-
5,092En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R022S7XTMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
|
|
5,092En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
- IXBH20N300
- IXYS
-
1:
$86.45
-
281En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXBH20N300
|
IXYS
|
IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
|
|
281En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
- IXFK150N30P3
- IXYS
-
1:
$27.40
-
1,488En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
|
|
1,488En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFN132N50P3
- IXYS
-
1:
$50.59
-
414En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN132N50P3
|
IXYS
|
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
414En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
- IXTH1N450HV
- IXYS
-
1:
$50.63
-
495En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTH1N450HV
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) High Voltage Power MOSFET
|
|
495En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
- IXTK400N15X4
- IXYS
-
1:
$69.56
-
1,487En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTK400N15X4
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
|
|
1,487En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
- IXXN110N65C4H1
- IXYS
-
1:
$31.95
-
740En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXXN110N65C4H1
|
IXYS
|
Módulos IGBT 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
|
|
740En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|