|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
- IPD60R600C6ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$1.98
-
37,905En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600C6ATMA1
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A DPAK-2
|
|
37,905En existencias
|
|
|
$1.98
|
|
|
$1.27
|
|
|
$0.503
|
|
|
$0.473
|
|
|
$0.472
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.461
|
|
|
$0.454
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
- FCPF099N65S3
- onsemi
-
1:
$6.73
-
11,428En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCPF099N65S3
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SuperFET3 650V 99 mOhm
|
|
11,428En existencias
|
|
|
$6.73
|
|
|
$3.60
|
|
|
$3.27
|
|
|
$2.87
|
|
|
$2.85
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
- FCPF11N60
- onsemi
-
1:
$3.48
-
8,195En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FCPF11N60
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V 11A N-CH
|
|
8,195En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 40
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
- FDB0190N807L
- onsemi
-
1:
$7.61
-
4,663En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDB0190N807L
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 80V TO263 7L JEDEC GREEN EMC
|
|
4,663En existencias
|
|
|
$7.61
|
|
|
$4.85
|
|
|
$3.75
|
|
|
$2.94
|
|
|
$2.93
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
- FDD86102LZ
- onsemi
-
1:
$2.49
-
19,833En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDD86102LZ
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
|
|
19,833En existencias
|
|
|
$2.49
|
|
|
$1.60
|
|
|
$1.09
|
|
|
$1.09
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 170
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
- FDH44N50
- onsemi
-
1:
$10.74
-
6,574En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDH44N50
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
|
|
6,574En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 60
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
- FDPF12N60NZ
- onsemi
-
1:
$2.47
-
12,384En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-FDPF12N60NZ
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
|
|
12,384En existencias
|
|
|
$2.47
|
|
|
$1.48
|
|
|
$1.33
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 100
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
- NDT014
- onsemi
-
1:
$1.66
-
36,236En existencias
|
N.º de artículo del Fabricante
NDT014
N.º de artículo de Mouser
512-NDT014
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel FET Enhancement Mode
|
|
36,236En existencias
|
|
|
$1.66
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.702
|
|
|
$0.702
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 280
:
4,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
- RFD3055LESM9A
- onsemi
-
1:
$1.13
-
84,059En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
512-RFD3055LESM9A
|
onsemi
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Power MOSFET
|
|
84,059En existencias
|
|
|
$1.13
|
|
|
$0.725
|
|
|
$0.525
|
|
|
$0.423
|
|
|
$0.384
|
|
|
$0.384
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,090
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
- DMT6004LPS-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.54
-
53,858En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMT6004LPS-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
|
|
53,858En existencias
|
|
|
$2.54
|
|
|
$1.46
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.916
|
|
|
$0.729
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.868
|
|
|
$0.711
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
- DMTH6004SK3-13
- Diodes Incorporated
-
1:
$2.20
-
43,277En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
621-DMTH6004SK3-13
|
Diodes Incorporated
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET BVDSS: 41V-60V
|
|
43,277En existencias
|
|
|
$2.20
|
|
|
$1.19
|
|
|
$0.926
|
|
|
$0.926
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 220
:
2,500
|
|
|
|
|
Rectificadores 1500 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
- DGP30-E3/54
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.43
-
9,635En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
625-DGP30-E3/54
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores 1500 Volt 3.0 Amp Glass Passivated
|
|
9,635En existencias
|
|
|
$3.43
|
|
|
$2.13
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.57
|
|
|
$1.57
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,400
|
|
|
|
|
Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 60 Volt
- MSS1P6-M3/89A
- Vishay Semiconductors
-
1:
$0.28
-
522,701En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
625-MSS1P6-M3
|
Vishay Semiconductors
|
Rectificadores y diodos Schottky 1.0 Amp 60 Volt
|
|
522,701En existencias
|
|
|
$0.28
|
|
|
$0.129
|
|
|
$0.113
|
|
|
$0.083
|
|
|
$0.053
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.077
|
|
|
$0.057
|
|
|
$0.052
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,500
|
|
|
|
|
Luces LED blancas 2835 DFN2 0.5W White Silicone
- ASMW-LWG0-NEGDE
- Broadcom / Avago
-
Disponibilidad restringida
|
N.º de artículo de Mouser
630-ASMW-LWG0-NEGDE
|
Broadcom / Avago
|
Luces LED blancas 2835 DFN2 0.5W White Silicone
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Detector de RF LF-to-2.5GHz Dual Logarithmic Detector/C
- MAX2016ETI+
- Analog Devices / Maxim Integrated
-
1:
$32.70
-
759En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
700-MAX2016ETI
|
Analog Devices / Maxim Integrated
|
Detector de RF LF-to-2.5GHz Dual Logarithmic Detector/C
|
|
759En existencias
|
|
|
$32.70
|
|
|
$29.00
|
|
|
$27.06
|
|
|
$26.55
|
|
|
$25.92
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
- BSZ075N08NS5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$2.21
-
56,422En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8
|
|
56,422En existencias
|
|
|
$2.21
|
|
|
$1.42
|
|
|
$1.06
|
|
|
$0.937
|
|
|
$0.783
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.892
|
|
|
$0.887
|
|
|
$0.768
|
|
|
Presupuesto
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
- IPT020N10N5ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
$5.32
-
11,184En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IPT020N10N5ATMA1
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V
|
|
11,184En existencias
|
|
|
$5.32
|
|
|
$3.21
|
|
|
$2.65
|
|
|
$2.40
|
|
|
$2.24
|
|
|
$1.95
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
- IXFK150N30P3
- IXYS
-
1:
$27.40
-
1,488En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFK150N30P3
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
|
|
1,488En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
- IXFN132N50P3
- IXYS
-
1:
$50.59
-
415En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXFN132N50P3
|
IXYS
|
Módulos MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
|
|
415En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
- IXTK60N50L2
- IXYS
-
1:
$39.48
-
570En existencias
-
300Se espera el 29/09/2026
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXTK60N50L2
|
IXYS
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60 Amps 500V
|
|
570En existencias
300Se espera el 29/09/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Módulos IGBT 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
- IXXN110N65C4H1
- IXYS
-
1:
$30.59
-
833En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
747-IXXN110N65C4H1
|
IXYS
|
Módulos IGBT 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT
|
|
833En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
- R6020ENXC7G
- ROHM Semiconductor
-
1:
$4.71
-
5,813En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
755-R6020ENXC7G
|
ROHM Semiconductor
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 600V 20A N-CH MOSFET
|
|
5,813En existencias
|
|
|
$4.71
|
|
|
$2.96
|
|
|
$2.83
|
|
|
$2.51
|
|
|
Ver
|
|
|
$2.35
|
|
|
$2.26
|
|
|
$2.25
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN
- TK099V65Z,LQ
- Toshiba
-
1:
$6.49
-
7,252En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
757-TK099V65ZLQ
|
Toshiba
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 230W 1MHz 8x8DFN
|
|
7,252En existencias
|
|
|
$6.49
|
|
|
$4.35
|
|
|
$3.44
|
|
|
$3.30
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS
- BUK7J1R4-40HX
- Nexperia
-
1:
$2.77
-
20,298En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7J1R4-40HX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7J1R4-40H/SOT1023/4 LEADS
|
|
20,298En existencias
|
|
|
$2.77
|
|
|
$1.79
|
|
|
$1.23
|
|
|
$0.996
|
|
|
$0.964
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.964
|
|
|
$0.783
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M22-80E/SOT1210/mLFPAK
- BUK7M22-80EX
- Nexperia
-
1:
$1.54
-
61,502En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
771-BUK7M22-80EX
|
Nexperia
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) BUK7M22-80E/SOT1210/mLFPAK
|
|
61,502En existencias
|
|
|
$1.54
|
|
|
$0.952
|
|
|
$0.628
|
|
|
$0.493
|
|
|
$0.365
|
|
|
Ver
|
|
|
$0.422
|
|
|
$0.33
|
|
|
$0.323
|
|
|
$0.314
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
1,500
|
|
|
